[发明专利]一种制作U型栅脚T型栅结构的方法有效
| 申请号： | 201110133545.6 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102201334A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 孔欣;魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 型栅脚 结构 方法 | ||
1.一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，其特征在于，该方法包括：
在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiNx钝化层；
使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；
刻蚀SiNx钝化层形成U型栅脚结构；
再刻蚀AlGaN势垒层，并通过双层胶二次曝光得到栅帽；以及
经过蒸发、剥离形成U型栅脚T型栅结构。
2.根据权利要求1所述的制作U型栅脚T型栅结构的方法，其特征在于，所述在器件表面制备SiNx钝化层的厚度为1000至
3.根据权利要求1所述的制作U型栅脚T型栅结构的方法，其特征在于，所述使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口包括：
在SiNx钝化层上匀ZEP520A电子束光刻胶，厚度为然后在180℃热板真空加热3分钟；
采用电子束曝光，光刻宽度为80至200nm；
采用显影液ZED-N50显影90秒，定影液ZMD-D定影10秒，氮气吹干；
采用100℃真空热板1分钟，Matrix打底胶30秒，得到刻蚀窗口。
4.根据权利要求1所述的制作U型栅脚T型栅结构的方法，其特征在于，所述刻蚀SiNx钝化层形成U型栅脚结构包括：
利用ICP刻蚀机刻蚀SiNx钝化层，刻蚀时间130秒，刻蚀完成后即可形成U型栅脚结构。
5.根据权利要求1所述的制作U型栅脚T型栅结构的方法，其特征在于，所述再刻蚀AlGaN势垒层并通过双层胶二次曝光得到栅帽包括：
刻蚀AlGaN势垒层，刻蚀深度为5nm；
去胶，清洗；
匀胶PMMA/UVIII，厚度为200/800nm，二次电子束曝光；
显影，得到宽度为0.5至0.7μm的栅帽结构。
6.根据权利要求1所述的制作U型栅脚T型栅结构的方法，其特征在于，所述经过蒸发、剥离形成U型栅脚T型栅结构包括：
对器件表面用体积比为1∶3的稀盐酸处理，然后蒸发厚度为40/500nm的栅金属Ni/Au；
剥离该栅金属，得到栅线条，形成U型栅脚T型栅结构。
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