[发明专利]制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法

权利要求书

1.一种制作均匀的微细图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，在进行半导体裁剪工艺的过程中，步骤A：使用第一气体作为等离子体源进行硬掩模层的裁剪；步骤B：进行硬掩模层的固化工艺，以保持图形稳定，不会变形；步骤C：使用第二气体作为等离子体源进行硬掩模层的裁剪；步骤D：使用第三气体作为等离子体源进行硬掩模层的裁剪；所述第一气体、所述第二气体、所述第三气体分别具有不同的微负载效应，以减少密集区和空旷区特征尺寸之间的差值。

2.根据权利要求1所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，单独采用所述第一气体刻蚀后的空旷区特征尺寸较小，单独采用所述第二气体或第三气体刻蚀后的空旷区特征尺寸较大。

3.根据权利要求1所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体为C12、O2、He混合气体。

4.根据权利要求1所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述第二气体为HBr、O2、He混合气体。

5.根据权利要求1所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述第三气体为CF4、CH2F2混合气体。

6.根据权利要求1所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤B中采用HBr等离子进行固化。

7.根据权利要求3所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤A中的工艺采用的上部功率：400-600W，下部功率：0W，C12：25-35sccm，O2：35-70sccm，He：70-100sccm，压力：10-20mt，工艺时间：15-25s。

8.根据权利要求6所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤B中的固化工艺采用的1200-1500W，下部功率：0W，HBr：120-150sccm，压力：6-10mt，工艺时间：65-75s。

9.根据权利要求4所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤C中的工艺采用的上部功率：1000-1200W，下部功率：0W，HBr：100-150sccm，O2：30-70sccm，He：50-100sccm，压力：10-20mt，工艺时间：20-30s。

10.根据权利要求5所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述步骤D中的工艺采用的上部功率：30-600W，下部功率：0W，CF4：70-100sccm，CH2F2：15-30sccm，压力：10-20mt，时间：15-30s。

11.根据权利要求1所述的制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，在步骤C之后先进行第二次固化工艺，再进行步骤D。