[发明专利]一种刻蚀腔体清除记忆效应的方法

权利要求书

1.一种刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，具体步骤包括：

利用含氟和氧气的等离子体与腔壁上的无机聚合物反应将其清除；

利用低功率零偏压源下的惰性气体清除残留的氟，同时用其消除顶部介电层窗口热量累积而造成的工艺影响；

利用含氧气的等离子体与腔壁上的有机聚合物反应将其清除。

2.根据权利要求1所述的刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，进行所述利用含氟和氧气的等离子体与腔壁上的无机聚合物反应将其清除时，采用的含氟的等离子体流量为100-150sccm，氧气流量为30-55sccm。

3.根据权利要求2所述刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，环境参数为：电源功率600-800w，零偏压源0-50v，压力100-150mt，刻蚀时间10s。

4.根据权利要求1或2或3所述的刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，所述含氟的等离子体为六氟化硫。

5.根据权利要求1所述的刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，进行所述利用低功率零偏压源下的惰性气体清除残留的氟时，采用的惰性气体流量为150-300sccm，并同时抑制顶部介电窗口热量累积而造成的温度上升。

6.根据权利要求5所述的刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，环境参数为：电源功率50-75w，零偏压源0V，压力50-70mt，刻蚀时间60-90s。

7.根据权利要求1或5或6所述的刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气或氦气。

8.根据权利要求1所述的刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，进行所述利用含氧气的等离子体与腔壁上的有机聚合物反应将其清除时，采用的氧气流量为150-200sccm。

9.根据权利要求8所述的刻蚀腔体清除记忆效应的方法，其特征在于，环境参数为：电源功率800-1000w，零偏压源0-50V，压力30-60mt，刻蚀时间20s。