[发明专利]多元素掺杂磷酸锶的发光薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种多元素掺杂磷酸锶薄膜，其特征在于，所述多元素掺杂磷酸锶薄膜的通式为Sr_2-x-y-zP₂O₇:xSn⁴⁺，yTi⁴⁺，zEu³⁺，其中，x取值为0.01～0.1，y取值为0.005～0.05，z取值为0.01～0.04。

2.如权利要求1所述的多元素掺杂磷酸锶薄膜，其特征在于，所述x取值为0.04～0.06，y取值为0.01～0.03，z取值为0.01～0.03。

3.一种多元素掺杂磷酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

称取SrO粉体、P₂O₅粉体、SnO₂粉体、TiO₂粉体和Eu₂O₃粉体混合，混合物中各组份的摩尔比为SrO∶P₂O₅∶SnO₂∶TiO₂∶Eu₂O₃为(2-x-y-z)∶1∶x∶y∶z/2，其中，x取值为0.01～0.1，y取值为0.005～0.05，z取值为0.01～0.04，将所述混合物烧结作为靶材；

将所述靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设置工作压强为0.2Pa～4.5Pa，通入惰性气体和氢气的混合气体，混合气体流量为15sccm～30sccm，衬底温度为350℃～750℃，溅射功率为30W～200W，溅射得多元素掺杂磷酸锶薄膜。

4.如权利要求3所述的多元素掺杂磷酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，对制得的多元素掺杂磷酸锶薄膜进一步进行退火处理。

5.如权利要求4所述的多元素掺杂磷酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，所述退火处理的退火温度为500℃～800℃，所述退火的保温时间为1h～3h。

6.如权利要求3所述的多元素掺杂磷酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，x取值为0.04～0.06，y取值为0.01～0.03，z取值为0.01～0.03。

7.如权利要求3所述的多元素掺杂磷酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合气体中氢气的体积百分含量为1％～15％。

8.如权利要求3所述的多元素掺杂磷酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合气体中氢气的体积百分含量为3％～8％。

9.如权利要求3至8择一所述的多元素掺杂磷酸锶薄膜的制备方法，其特征在于，所述腔体的工作压强为0.8Pa～2.5Pa，所述衬底温度为400℃～600℃，所述溅射功率为100W～140W。

10.如权利要求1或2所述的多元素掺杂磷酸锶薄膜在场发射器件、阴极射线管和/或电致发光器件中的应用。