[发明专利]发光薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201110133686.8 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102796523A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;钟铁涛 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/79 | 分类号： | C09K11/79;H01L33/00;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种发光薄膜，所述发光薄膜的分子表达式为Ba3MgSi2O8:Fe3+，Ce4+，所述Fe3+的摩尔百分含量为0.004％～0.063％，所述Ce4+的摩尔百分含量为0.006％～0.047％。
2.如权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于：所述Fe3+的摩尔百分含量为0.012～0.038％。
3.如权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于：所述Ce4+的摩尔百分含量为0.015～0.040％。
4.如权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于：所述Fe3+的摩尔百分含量为0.025％；所述Ce4+的摩尔百分含量为0.029％。
5.一种发光薄膜制备方法，包括如下步骤：
分别称取BaO、MgO、SiO2、Fe2O3和CeO2，按质量百分比各组份分别为：所述BaO为20％～30％、MgO为3％～10％、Fe2O3为0.3％～5％、CeO2为1％～8％，余量为SiO2；
将所述BaO、MgO、SiO2、Fe2O3和CeO2混合，烧结、形成溅射靶材；
将所述溅射靶材利用磁控溅射形成薄膜，得到发光薄膜前体；
将所述发光薄膜前体进行退火处理，得到所述发光薄膜。
6.如权利要求5所述的发光薄膜制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的工序为：
提供衬底；
将所述衬底与所述溅射靶材的间距调整为50mm～90mm，在真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa、衬底温度为350℃～750℃、含氢气和惰性气体混合的工作气体流量为15sccm～30sccm、压强0.2Pa～4.5Pa条件下进行磁控溅射。
7.如权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述烧结的温度为900℃～1300℃，时间为2～5小时。
8.如权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述烧结的温度为1200℃。
9.如权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于：所述退火处理是将发光薄膜前体在真空度为0.1Pa～0.001Pa Pa、温度为500℃～800℃条件下处理1～3小时。
10.如权利要求1～4任一项所述的发光薄膜在阴极射线管或/和电致发光器件中的应用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司，未经海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110133686.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
