[发明专利]一种光束整形器件无效
申请号: | 201110134130.0 | 申请日: | 2011-05-23 |
公开(公告)号: | CN102162925A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 林妩媚;廖志杰;邱传凯;刘银辉;邢廷文;张海波 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G02B27/09 | 分类号: | G02B27/09 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 梁爱荣 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光束 整形 器件 | ||
1.一种光束整形器件,包含有基底,其特征在于,在基底的一侧工作面上设有多个整形单元,在基底的x轴向和y轴向呈阵列式分布M×N个整形单元,M×N个整形单元之间紧密连接;每个整形单元包含P×Q个位相子单元,M、N、P和Q为正整数,且M和N不同时等于1,P和Q也不同时等于1,入射光束被M×N个整形单元个分割成多个子光束,每个子光束经P×Q个位相子单元调制生成调制后生成的远场光场的光强分布相同,且M×N个远场光场相互叠加,形成与子光束远场光场强度分布相同的输出光场。
2.根据权利要求1所述的光束整形器件,其特征在于,实现整形单元的步骤是:
步骤S1:根据远场光分布的要求,利用位相反演算法进行反推计算得到各个整形单元的位相分布数据;
步骤S2:根据各个整形单元的位相分布数据,采用刻蚀或压印在基底上构造位相子单元的位相分布,从而得到能构造出对入射光束强度分布无均匀性要求并变换得到光场外形轮廓为相同形状和光场强度分布相同的远场光的整形单元。
3.根据权利要求1所述的光束整形器件,其特征在于,所述P×Q个位相子单元中的相邻位相子单元之间的位相数据分布呈离散状态。
4.根据权利要求1所述的光束整形器件,其特征在于,整形单元的尺寸为毫米级、亚毫米级或微米级。
5.根据权利要求1所述的光束整形器件,其特征在于,所述整形单元的xoy面内的截面为矩形、圆形、菱形、梯形或其他不规则形状的结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所,未经中国科学院光电技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110134130.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。