[发明专利]一种太阳能单晶硅片的清洗工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能单晶硅片的清洗工艺。

背景技术

目前，太阳能单晶硅片的清洗工艺的技术路线是：喷淋、脱胶、自来水漂洗、清洗剂超洗、纯水漂洗、甩干烘干。这种工艺清洗出来的单晶硅片表面的化学物、金属杂质、酸碱残留等过多，会使太阳能硅片制绒时出现白斑，产生色差现象，降低电池片的转换效率，甚至达不到电池片的技术要求，影响成品率及产品质量。

发明内容

本发明的目的是提供能提高太阳能硅片表面清洁度的一种太阳能单晶硅片的清洗工艺。

本发明采取的技术方案是：一种太阳能单晶硅片的清洗工艺，其特征在于将太阳能单晶硅片依次经过喷淋、脱胶、自来水漂洗、清洗剂超洗、纯水漂洗工序，之后，先在离子水和氢氟酸的混合液中浸泡一定时间，再在离子水和双氧水的混合液中浸泡一定时间，然后再次进行纯水漂洗，最后甩干烘干。

所述的氢氟酸在试剂级以上，离子水的电阻在15兆欧姆以上，双氧水在分析纯以上；

所述的离子水和氢氟酸的混合液按体积百分比为1∶0.4～0.6％混合；

所述的离子水和双氧水的混合液按体积百分比为1∶0.4～0.6％混合；

所述的在离子水和氢氟酸的混合液中浸泡时间在3分钟以上；

所述的在离子水和双氧水的混合液中浸泡时间在3分钟以上；

采用本发明，可以将太阳能单晶硅片表面的化学物、金属杂质、酸碱残留充分清洗去除，防止太阳能单晶硅片制绒时出现白斑，产生色差现象，从而提高成品率和产品质量。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明作进一步说明。

本实施例按以下步骤进行：

一、按常规将太阳能单晶硅片依次经过喷淋、脱胶、自来水漂洗、清洗剂超洗、纯水漂洗工序；

二、将电阻在15兆欧姆以上的离子水和试剂级以上的氢氟酸，制成体积百分比为1∶0.4～0.6％的混合液，之后，把经过步骤一后的太阳能单晶硅片放入该混合液中浸泡3分钟以上。

三、将电阻在15兆欧姆以上的离子水和分析纯以上的双氧水，制成体积百分比为1∶0.4～0.6％的混合液，之后，把经过步骤二后的太阳能单晶硅片放入该混合液中浸泡3分钟以上。

四、将经过步骤三的太阳能单晶硅片再次按常规进行纯水漂洗，最后甩干烘干即可。