[发明专利]一种硅片料的清洗方法

权利要求书

1.一种硅片料的清洗方法，其特征在于将硅片料依次经过下列清洗工序：

A：采用氢氟酸浸泡一定时间，之后用水冲洗干净；

B：采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间；

C：采用氢氟酸与硝酸的混合液进行清洗，之后用水冲洗干净；

D：采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间；

E：采用盐酸和离子水混合液进行中和。

2.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法，其特征在于步骤A中采用氢氟酸的质量百分比浓度在55％以上，在常温下浸泡20小时以上。

3.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法，其特征在于步骤B采用的硝酸的质量百分比浓度在58％以上，盐酸的质量百分比浓度在36％以上，按体积比1∶2～4的比例制成王水，在常温下浸泡8小时以上。

4.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法，其特征在于步骤C采用的氢氟酸与硝酸均在试剂级以上，按体积比1∶15～25的比例进行混合。

5.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法，其特征在于步骤D采用的氢氧化钠溶液的质量百分比浓度在98％以上，在常温下漂洗1～2分钟。

6.根据权利要求1所述的一种硅片料的清洗方法，其特征在于步骤E采用的盐酸的质量百分比浓度在36％以上，离子水的电阻在15兆欧姆以上，按体积比1∶0.8～1.2的比例进行混合。