[发明专利]纳米级颗粒模拟基片再加工方法有效
| 申请号： | 201110134655.4 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102231364A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 纪登峰;赵波 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 颗粒 模拟 再加 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米级颗粒模拟基片再加工方法，其特征在于，包括：
提供颗粒模拟基片，所述颗粒模拟基片包括：衬底，位于衬底表面的热氧化层，所述热氧化层具有测试表面；
沿所述测试表面对所述热氧化层进行化学机械抛光，使得抛光后的所述测试表面的颗粒数量小于100。
2.如权利要求1的模拟基片再加工方法，其特征在于，所述化学机械抛光工艺参数为：采用碱性的研磨液，抛光速率为50埃/分钟到10000埃/分钟，对所述热氧化层研磨5秒至200秒。
3.如权利要求1的模拟基片再加工方法，其特征在于，所述化学机械抛光工艺参数为：采用碱性的研磨液，抛光速率为400埃/分钟，对所述热氧化层研磨5秒。
4.如权利要求1的模拟基片再加工方法，其特征在于，所述热氧化层厚度为50埃到20000埃。
5.如权利要求4的模拟基片再加工方法，其特征在于，所述热氧化层形成工艺为炉管氧化。
6.如权利要求1的模拟基片再加工方法，其特征在于，所述颗粒尺寸大于80纳米。
7.如权利要求1的模拟基片再加工方法，其特征在于，所述衬底材料为硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
