[发明专利]发光二极管元件及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管元件，包含：

金属散热座；

金属层，覆盖在该金属散热座上；

封装基座，设于该金属层上，且具有凹槽，其中该封装基座包含金属基板、以及绝缘层，其包覆住该金属基板；

发光二极管芯片，设于该凹槽中，其中该发光二极管芯片具有不同电性的一第一电性电极与一第二电性电极；

第一电极垫与一第二电极垫，设于该封装基座上，且分别与该第一电性电极和该第二电性电极电连接；以及

封装胶体，包覆住该凹槽及该发光二极管芯片。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该金属基板的材料包含铝或铜。

3.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该绝缘层的材料包含氧化铝、氮化硅或二氧化硅。

4.如权利要求1所述的发光二极管元件，还包含两连接导线，分别将该第一电极垫和该第二电极垫连接至一外部电源。

5.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中

该金属散热座与该金属层还包含有第一间隙，以使该第一电极垫与该第二电极垫电性分离于该第一间隙的二侧；以及

该封装基座还具有两通孔，贯穿该封装基座，且该封装基座包含两导线接脚，分别设于该些通孔中，以将该第一电极垫和该第二电极垫分别电连接至位于该第一间隙的该些侧的该金属散热座。

6.如权利要求5所述的发光二极管元件，其中该金属散热座与该金属层还包含有第二间隙，且该第一间隙与该第二间隙分别位于该发光二极管芯片的两侧。

7.如权利要求1所述的发光二极管元件，还包含反射层，覆盖在该凹槽的侧壁上。

8.一种发光二极管元件的制作方法，包含：

提供一封装基座，其中该封装基座具有至少一凹槽，且该封装基座包含金属基板、以及绝缘层，包覆住该金属基板；

形成一第一电极垫与一第二电极垫于该封装基座上；

提供一暂时基板，其中该暂时基板上设有一高分子材料层；

将该封装基座与至少一发光二极管芯片嵌设于该高分子材料层中，并使该发光二极管芯片位于该凹槽中，其中该发光二极管芯片具有不同电性的第一电性电极与第二电性电极；

形成一金属层覆盖在该高分子材料层、该封装基座与该发光二极管芯片上；

形成一金属散热座于该金属层上；

移除该暂时基板与该高分子材料层，以暴露出该第一电性电极、该第二电性电极、该第一电极垫与该第二电极垫；

将该第一电性电极和该第二电性电极分别与该第一电极垫和该第二电极垫电连接；以及

形成一封装胶体包覆住该凹槽及该发光二极管芯片。

9.如权利要求8所述的发光二极管元件的制作方法，其中提供该封装基座的步骤包含：

提供一金属平板；

形成一贯穿槽于该金属平板中，以形成该金属基板；以及

形成该绝缘层包覆住该金属基板。

10.如权利要求9所述的发光二极管元件的制作方法，其中

该金属平板的材料包含铝；

形成该贯穿槽的步骤包含利用一机械加工方式；以及

形成该绝缘层的步骤包含利用一阳极处理方式，以形成一氧化铝层来作为该绝缘层。

11.如权利要求9所述的发光二极管元件的制作方法，其中

该金属平板的材料包含铜；

形成该贯穿槽的步骤包含利用一机械加工方式；以及

形成该绝缘层的步骤包含利用一沉积方式，以形成该绝缘层。

12.如权利要求9所述的发光二极管元件的制作方法，其中

提供该封装基座的步骤还包含于形成该绝缘层的步骤前，形成两通孔，贯穿该金属平板且分别位于该贯穿槽的两侧；

在形成该金属层的步骤前，该发光二极管元件的制作方法还包含形成两导线接脚，分别位于该些通孔中，其中该些导线接脚适用以分别将该第一电极垫和该第二电极垫电连接至该金属层；以及

形成该金属层的步骤与形成该金属散热座的步骤包含形成一第一间隙穿设于该金属散热座与该金属层所构成的一堆叠结构中，以使该第一电极垫与该第二电极垫电性分离于该第一间隙的两侧。