[发明专利]发光薄膜、其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201110135279.0 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102796519A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/64 | 分类号： | C09K11/64;H01J29/20;H01L33/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种发光薄膜，包括相掺杂的CaF2和SrAl2-xO4∶xMn4+，所述x的取值0.08～0.16，所述CaF2质量百分含量为0.1％～0.8％。
2.如权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，所述CaF2的质量百分含量为0.3％。
3.如权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于，所述x的取值为0.12。
4.一种发光薄膜制备方法，包括如下步骤：
将Al2O3、SrO、CaF2及MnO2混合，得到混合物，将所述混合物烧结、形成溅射靶材，所述混合物中各组分的摩尔比为：SrO∶Al2O3∶MnO2∶CaF2＝1∶(0.92～0.96)∶(0.08～0.16)∶(0.003～0.02)，所述CaF2质量百分含量为0.1％～0.8％，；
将所述溅射靶材利用磁控溅射形成膜，得到发光薄膜前体；
将所述发光薄膜前体进行退火处理，得到发光薄膜。
5.如权利要求4所述的发光薄膜制备方法，其特征在于，所述混合物各组份的摩尔比为：SrO∶Al2O3∶MnO2∶CaF2＝1∶0.94∶0.12∶0.008。
6.如权利要求4所述的发光薄膜制备方法，其特征在于，所述氟化钙的质量百分含量为0.3％。
7.如权利要求4所述的发光薄膜制备方法，其特征在于，所述烧结温度为900℃～1300℃。
8.如权利要求4所述的发光薄膜制备方法，其特征在于，所述溅射处理的过程为：
在真空度为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa、基靶间距为50～100mm、衬底温度为250℃～750℃、以惰性气体为工作气体，气体流量15～30sccm、压强0.2～4.5Pa条件下溅射处理。
9.如权利要求4所述的发光薄膜制备方法，其特征在于，所述退火温度为500-800℃，所述退火时间为1-3小时。
10.如权利要求1-3任一项所述的发光薄膜在阴极射线管、电致发光显示器件或场发射器件中的应用。
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