[发明专利]一种相变存储材料及其制备方法

权利要求书

1.一种相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料为镓-锑-硒的化合物。

2.如权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于，化学组分为Ga_xSb_ySe_z，其中4＜x＜40，25＜y＜85，5＜z＜70，x+y+z＝100。

3.如权利要求2所述的相变存储材料，其特征在于，化学组分为Ga_xSb_ySe_z，其中10≤x≤20，50≤y≤85，20≤z≤40，x+y+z＝100。

4.如权利要求3所述的相变存储材料，其特征在于，化学组分为Ga_xSb_ySe_z，其中x＝8，y＝34，z＝58。

5.如权利要求3所述的相变存储材料，其特征在于，化学组分为Ga_xSb_ySe_z，其中x＝13，y＝32，z＝55。

6.如权利要求3所述的相变存储材料，其特征在于，化学组分为Ga_xSb_ySe_z，其中x＝34，y＝40，z＝26。

7.如权利要求1至6任意一项所述的相变存储材料，其特征在于，所述镓-锑-硒的化合物在薄膜制备时，成分有一定的偏析，偏析元素的误差在10％以内。

8.如权利要求1至6任意一项所述的相变存储材料，其特征在于，所述镓-锑-硒的化合物还包括掺杂原子，所述掺杂原子的摩尔比为0％至20％。

9.如权利要求8所述的相变存储材料，其特征在于，所述掺杂原子为铝、铋、氮、氧、银、金、锡、锗、硅中之一或者上述几种元素的混合掺杂。

10.如权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料在外部电脉冲作用下具有可逆相变的特性。

11.如权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料在外部电脉冲下存在2个及其以上稳定的电阻态。

12.如权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料在非晶态和晶态的电阻率之比至少为4。

13.如权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料在激光脉冲作用下其反射率能够发生可逆变化。

14.一种相变存储材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括下述方法的任意一种：(1)采用GaSb合金靶和Sb_xSe合金靶两靶磁控共溅射，其中1＜x＜8；(2)采用GaSb，Sb₂Se₃和Sb三靶磁控共溅射。

15.如权利要求14所述的一种相变存储材料的制备方法，其特征在于，采用GaSb合金靶和Sb₂Se₃合金靶两靶磁控共溅射。