[发明专利]用于探明功率半导体的温度的方法

权利要求书

1.用于探明功率半导体(12)的温度(T)的方法，在其中，第一控制触点(22a)联接到在所述功率半导体(12)中集成的串联电阻(14)的第一电极处，其中，所述串联电阻(14)的延续至所述功率半导体(12)的第二电极被引至第二控制触点(22b)，在其中：

-将第一控制触点(22a)和第二控制触点(22b)各通过键合线(16)与第一接线端子(24a)和第二接线端子(24b)相连接，

-通过在这两个接线端子(24a、b)之间的电气的测量来探明所述串联电阻(14)的电阻值(R_V)，

-借助所述串联电阻(14)的电阻值(R_V)和温度-电阻特性曲线(26)探明所述串联电阻(14)的温度(T)来作为所述功率半导体(12)的温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量在所述第一控制触点(22a)由工作原因而通以工作电流(I_B)期间实行。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述测量借助于通过这两个控制触点(22a、b)输送的测量电流(I_M)实行。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述特性曲线(26)借助所述功率半导体(12)处的标定流程来探明。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述功率半导体(12)装配在带有集成的温度传感器(30)的承载电路板(28)上，在其中，所述特性曲线(26)在所述功率半导体(12)的空载中在所述温度传感器(30)的辅助下来探明。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述功率半导体(12)具有多个带有相应的控制触点(22a、b)的串联电阻(14)，在其中，所述方法在所述串联电阻(14)中的被最多地热负荷的串联电阻处执行。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述功率半导体(12)具有多个带有相应的控制触点(22a、b)的串联电阻(14)，在其中，所述方法在所述串联电阻(14)中的多个或所有串联电阻处执行。