[发明专利]一种直流-直流变换器副边有源吸收线路和控制方法

权利要求书

1.一种直流-直流变换器副边有源吸收线路和控制方法，该线路采用包含原边线路和副边线路的直流-直流变换器，原边线路包含输入电压源、与输入电压源耦合的开关器件、耦合原边线路和付边线路的变压器，副边线路包含工作在整流状态或续流状态的整流器件、耦合整流器件的一个或多个有源吸收线路、和输出滤波线路。有源吸收线路包含一个第一电容和一个第一可控开关器件构成的串联支路、和控制该开关器件的线路。上述第一开关器件的控制信号由整流器输出电压或与其相关的信号生成。

2.如权利要求1所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，有源吸收线路跨接在整流器的输出端，上述第一开关器件的控制信号由输出电感耦合绕组的信号生成。

3.如权利要求2所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，上述第一开关器件为P型MOSFET(P-MOSFET)，具有一个并联的第一二极管；输出电感耦合绕组产生的电压经过由一个第二电容、一个第二二极管和一个第一电阻构成的电平移动线路形成负信号，驱动上述第一开关器件(P-MOSFET)，实现在整流器输出为高电平的部分时间内上述第一开关器件为导通状态，在整流器输出为低电平(零)的全部时间内上述第一开关器件为关断状态。

4.如权利要求3所述的电平移动线路，其特征在于，选择适当的上述第一电阻和上述第二电容的参数，使上述第一开关器件在整流状态期间的部分时间导通，在整流状态结束前自动关断。

5.如权利要求1所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，上述第一开关器件的控制信号由与整流器的输出电压成正比的信号生成。

6.如权利要求5所述的线路，其特征在于，上述第一开关器件为P型MOSFET(P-MOSFET)；由主变压器绕组生成的与整流器输出电压成正比的信号经过一个第二电阻和一个第三电阻分压接至一个第一驱动器的输入端；该第一驱动器为反相输出，输出信号经过上述电平移动线路形成负信号，驱动吸收线路中的第一开关器件(P-MOSFET)。

7.如权利要求6所述的电平移动线路，其特征在于，选择适当的上述第一电阻和上述第二电容的参数，使第一开关器件在整流状态期间的部分时间导通，在整流状态结束前自动关断。

8.如权利要求1所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，一个第一有源吸收线路跨接在一个全桥整流器的第一桥臂中点和地之间；一个第二有源吸收线路跨接在上述全桥整流器的第二桥臂中点和地之间；第一和第二有源吸收线路中分别的第一开关器件和第二开关器件的控制信号由各自桥臂的下方开关器件的驱动信号产生。

9.如权利要求8所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，上述第一开关器件和第二开关器件为P型MOSFET；第一桥臂的下方开关器件的驱动信号经过电平移动线路形成负信号，驱动上述第一开关器件；第二桥臂的下方开关器件的驱动信号经过电平移动线路形成负信号，驱动上述第二开关器件。

10.如权利要求9所述的直流-直流变换器副边有源吸收线路，其特征在于，选择适当的电平移动线路中的参数，使上述第一和第二开关器件的开通具有必要的延时；第一和第二开关器件在整流状态期间的部分时间内导通，在整流状态结束前自动关断。