[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

提供在所述半导体衬底上的金属层；

提供在所述金属层上的绝缘层；

提供在所述绝缘层中与所述金属层连接的第一通路，其用于将所述金属层电连接至其它导体；以及

提供在所述绝缘层中与所述金属层连接的第二通路，该第二通路具有比所述第一通路大的直径，

其中所述金属层由铝互连构成，所述铝互连包括由钛层构成的阻挡金属层，从而使得所述第一通路和所述第二通路通过所述铝互连和所述阻挡金属层电连接，并且所述金属层位于所述第一通路和所述第二通路之下，

其中所述其它导体包括上互连层，所述上互连层包括与所述绝缘层接触的第三阻挡金属层、与所述第三阻挡金属层接触的第二互连金属层和与所述第二互连金属层接触的第四阻挡金属层，

所述上层互连层形成为与所述第一通路接触而不与所述第二通路接触，从而所述金属层和所述上层互连层通过所述第一通路电连接而不通过所述第二通路电连接，并且

其中所述第二通路在所述第一通路和所述第二通路连接到所述金属层的水平面处具有比所述第一通路大的直径。

2.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第二通路是不电连接到所述其它导体的虚设通路。

3.根据权利要求1的半导体器件，其中所述金属层包括互连金属层和提供在所述互连金属层上的阻挡金属层，并且所述第一通路和所述第二通路都提供在所述阻挡金属层上。

4.根据权利要求2的半导体器件，其中所述金属层包括互连金属层和提供在所述互连金属层上的阻挡金属层，并且所述第一通路和所述第二通路都提供在所述阻挡金属层上。

5.根据权利要求3的半导体器件，其中所述互连金属层由铝、铜、银、或包含这些金属中的一种或多种的合金构成。

6.根据权利要求4的半导体器件，其中所述互连金属层由铝、铜、银、或包含这些金属中的一种或多种的合金构成。

7.根据权利要求3的半导体器件，其中所述阻挡金属层包括钛氮化物层。

8.根据权利要求4的半导体器件，其中所述阻挡金属层包括钛氮化物层。

9.根据权利要求5的半导体器件，其中所述阻挡金属层包括钛氮化物层。

10.根据权利要求1的半导体器件，其中所述金属层包括铝、铜、银或多晶硅。

11.根据权利要求2的半导体器件，其中所述金属层包括铝、铜、银或多晶硅。

12.根据权利要求1的半导体器件，其中所述第一通路和第二通路包括钨。

13.根据权利要求2的半导体器件，其中所述第一通路和第二通路包括钨。

14.根据权利要求1的半导体器件，其中所述阻挡金属层形成在所述铝互连上，并且所述第一通路和第二通路形成在所述阻挡金属层上且与所述阻挡金属层接触。

15.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成金属层；

在所述金属层上形成绝缘层；

使用限定了预定图形的掩模进行蚀刻，以便在所述绝缘层中形成第一通孔和具有比所述第一通孔大的直径的第二通孔，以由此暴露出所述金属层的上表面；

其中所述进行所述蚀刻包括进行所述蚀刻从而使得在所述第二通孔的底部比在所述第一通孔中首先暴露出所述金属层，

其中所述金属层由铝互连构成，所述铝互连包括由钛氮化物层构成的阻挡金属层，从而使得所述第一通路和所述第二通路都通过所述铝互连和所述阻挡金属层电连接，并且所述金属层位于所述第一通路和所述第二通路之下，并且

其中所述第二通孔在所述第一通孔和所述第二通孔连接到所述金属层的水平面处具有比所述第一通孔大的直径。

16.根据权利要求15的方法，其中在所述进行所述蚀刻中使用包含卤素的蚀刻气体。

17.根据权利要求15的方法，在所述进行所述蚀刻之后还包括：

在所述第一通孔和所述第二通孔中填充导电材料，以便形成第一通路和第二通路；以及

在所述第一通路上形成连接到所述第一通路但不连接到所述第二通路的导体。

18.根据权利要求16的方法，在所述进行所述蚀刻之后还包括：

在所述第一通孔和所述第二通孔中填充导电材料，以便形成第一通路和第二通路；以及

在所述第一通路上形成连接到所述第一通路但不连接到所述第二通路的导体。