[发明专利]半导体装置及传声器无效
申请号: | 201110136641.6 | 申请日: | 2011-05-25 |
公开(公告)号: | CN102275861A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 鞍谷直人;前川智史 | 申请(专利权)人: | 欧姆龙株式会社 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02;B81C1/00;H04R1/00;H04R19/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 传声器 | ||
1.一种半导体装置,其具备:
封装,其由在至少一方形成凹部的第一部件及第二部件构成;
传感器,其安装于所述第一部件的内表面;
电路元件,其安装于所述第二部件的内表面,其特征在于,
从与所述封装的底面垂直的方向观察时,所述传感器和所述电路元件以至少一部分重叠的方式配置。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述传感器位于所述电路元件的垂直上方或垂直下方。
3.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,在所述第一部件的表面设有第一接合用焊盘,利用第一电缆配线连接所述传感器和所述第一接合用焊盘,
在所述第二部件的表面设有第二接合用焊盘,利用第二电缆配线连接所述电路元件和所述第二接合用焊盘,
使所述第一部件和所述第二部件接合而形成封装时,利用导电性材料使所述第一接合用焊盘和所述第二接合用焊盘接合。
4.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,在所述第一部件的表面设有第一接合用焊盘和与所述第一接合用焊盘导通的第一接合部,利用第一电缆配线连接所述传感器和所述第一接合用焊盘,
在所述第二部件的表面设有第二接合用焊盘和与所述第二接合用焊盘导通的第二接合部,利用第二电缆配线连接所述电路元件和所述第二接合用焊盘,
使所述第一部件和所述第二部件接合而形成封装时,利用导电性材料使所述第一接合部和所述第二接合部接合。
5.如权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,所述第一接合用焊盘和所述第一接合部由连续的金属膜形成,通过用绝缘膜局部覆盖所述金属膜的表面,由此,将所述第一接合用焊盘和所述第一接合部区分,
所述第二接合用焊盘和所述第二接合部由连续的金属膜形成,通过用绝缘膜局部覆盖所述金属膜的表面,由此,将所述第二接合用焊盘和所述第二接合部区分。
6.如权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,所述导电性部件为焊锡、导电树脂、导电性带或钎料中的至少一种。
7.如权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,在与所述第一接合用焊盘相对的区域局部去除所述第二部件的表面,形成用于避开所述第一电缆配线的空间。
8.如权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,在与所述第二接合用焊盘相对的区域局部去除所述第一部件的表面,形成用于避开所述第二电缆配置的空间。
9.如权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,所述传感器安装在设置于所述第一部件的所述凹部内,在所述第一电缆配线的通过区域,使包围所述第一部件的所述凹部的周壁部的角部凹陷。
10.如权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,所述电路元件安装在设置于所述第二部件的所述凹部内,在所述第二电缆配线的通过区域,使包围所述第二部件的所述凹部的周壁部的角部凹陷。
11.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一部件为封装的罩,所述第二部件为封装的基板。
12.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一部件为封装的基板,所述第二部件为封装的罩。
13.如权利要求11或12所述的半导体装置,其特征在于,所述罩及所述基板分别具有所述凹部。
14.如权利要求11或12所述的半导体装置,其特征在于,所述罩具有所述凹部,所述基板平板状地形成。
15.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一部件由贴铜层叠板、环氧玻璃、陶瓷、塑料、金属、碳纳米管中至少一种材料或它们的复合材料形成。
16.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第二部件由贴铜层叠板、环氧玻璃、陶瓷、塑料、金属、碳纳米管中至少一种材料或它们的复合材料形成。
17.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述第一部件及第二部件具备用于隔断外部的电磁干扰的电磁屏蔽功能。
18.一种传声器,在权利要求1的半导体装置中,作为所述传感器使用传声器芯片,其特征在于,
在所述第一部件开设声孔,所述传声器芯片以覆盖所述声孔的方式安装于所述第一部件。
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