[发明专利]抛光方法以及栅极的形成方法

权利要求书

1.一种抛光方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有介质层和覆盖所述介质层的金属层；对所述金属层进行第一阶段抛光操作直至暴露出所述介质层，经过所述第一阶段抛光操作后的金属层包括待保留部分金属层和待去除部分金属层，其特征在于，还包括采用非选择性抛光液对所述金属层和介质层进行第二阶段抛光操作，去除所述待去除部分金属层。

2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述非选择性抛光液的固体比率小于3％，研磨料颗粒的尺寸小于70纳米。

3.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述非选择性抛光液中具有0.5～5wt％的表面活性剂。

4.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述第二阶段抛光操作时的压强为0.5～2磅/平方英寸，抛光台或抛光头的转速为10～50转/分钟。

5.根据权利要求4所述的抛光方法，其特征在于，所述第二阶段抛光操作中对所述介质层的去除速率为50～200埃/分钟，对所述金属层的去除速率小于100埃/分钟。

6.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述第二阶段抛光操作对所述介质层的去除量为100～200埃。

7.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述第二阶段抛光操作的时间为30～90秒。

8.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝或铝合金，所述介质层为氧化层。

9.一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括牺牲氧化层以及覆盖所述牺牲氧化层的多晶硅层；

在所述伪栅结构周围形成侧墙；

形成氮化硅层和覆盖所述氮化硅层的介质层，所述氮化硅层覆盖所述多晶硅层、侧墙和衬底；

对所述介质层抛光直至暴露出所述氮化硅层；

对所述氮化硅层进行抛光，停止于所述多晶硅层；

去除所述伪栅结构后形成开口；

在所述开口中先后形成栅介质层和覆盖所述栅介质层的金属层；

对所述金属层进行第一阶段抛光操作直至暴露出所述介质层，形成金属栅极以及残留的金属层；

采用非选择性抛光液对所述金属层、介质层、氮化硅层进行第二阶段抛光操作，去除所述残留的金属层。

10.根据权利要求9所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述非选择性抛光液的固体比率小于3％，研磨料颗粒的尺寸小于70纳米。

11.根据权利要求9所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述非选择性抛光液中具有0.5～5wt％的表面活性剂。

12.根据权利要求9所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二阶段抛光操作时的压强为0.5～2磅/平方英寸，抛光台或抛光头的转速为10～50转/分钟。

13.根据权利要求12所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二阶段抛光操作中对所述介质层的去除速率为50～200埃/分钟，对所述金属层的去除速率小于100埃/分钟，对所述氮化硅层的去除速率小于100埃/分钟。

14.根据权利要求9所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二阶段抛光操作对所述介质层的去除量为100～200埃。

15.根据权利要求9所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述第二阶段抛光操作的时间为30～90秒。

16.根据权利要求9所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝或铝合金，所述介质层为氧化层。