[发明专利]表面安装型负特性热敏电阻无效
申请号: | 201110136809.3 | 申请日: | 2006-02-06 |
公开(公告)号: | CN102290174A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 三浦忠将;绳井伸一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01C7/04 | 分类号: | H01C7/04;C04B35/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 冯雅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 安装 特性 热敏电阻 | ||
本发明专利申请时国际申请号为PCT/JP2006/301991,国际申请日为2006年2月6日,进入中国国家阶段的申请号为200680004097.7,名称为“表面安装型负特性热敏电阻”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及适合安装在电路板的、外部电极表面形成镀层的表面安装型负特性热敏电阻。
背景技术
近年,要求电子部件适应面装,具有负电阻温度特性的负特性热敏电阻也在开展片化。作为这种片化的负特性热敏电阻,例如专利文献1中揭示一种叠层型负特性热敏电阻,具有含Mn、Ni和Al的陶瓷体,从而具有随时间经历的变化小、可靠性高的效果。
下面,用图3说明专利文献1揭示的叠层型负特性热敏电阻。图3是专利文献1所示的叠层型负特性热敏电阻的概略剖视图。叠层型负特性热敏电阻11由具有负电阻温度特性的多个陶瓷层12和分别沿陶瓷层的界面形成的多个内部电极13的陶瓷体14组成,并且在所述陶瓷体14的端面形成外部电极15,使其与内部电极13导通。这里,使用以Mn和Ni为主成分并添加Al作为添加剂的陶瓷材料形成陶瓷层12,其中,使用Pd作为内部电极;使用Ag作为外部电极。
以往,用下列方法制作这种叠层型负特性热敏电阻11。首先,在陶瓷粉末中混合有机粘合剂并形成浆状后,用刮片法实施成形加工,制作陶瓷生片。其次,使用以Pd为主成分的内部电极用糊在陶瓷生片上实施网板印刷,形成电极图案。接着,层叠这些已网板印刷电极图案的陶瓷生片后,用未网板印刷电极图案的陶瓷生片将其压接并夹在中间,从而制作叠层体。接着,对得到的叠层体进行脱粘合剂处理后,进行烧固,形成内部电极13和陶瓷层12交替层叠的陶瓷体14。然后,在得到的陶瓷体14的两端部涂敷Ag等组成的外部电极用糊并进行烧固,从而形成外部电极15。
将具有上文所述那样得到的外部电极15的陶瓷体14面装到电路板时,通常进行锡焊。进行此锡焊时,有时发生外部电极15熔解并在焊锡中化开的“吞锡”。为了防止这种吞锡,或为了确保焊锡的浸润性,进行锡焊前,一般预先在外部电极的表面形成Ni和Sn等的镀膜。
专利文献1:特开2004-104093号公报
然而,在形成于陶瓷体14的端面的外部电极15上形成镀膜时,电镀液也接触陶瓷体14,存在侵蚀陶瓷体14的问题。而且,电镀液侵蚀陶瓷体14时,产生陶瓷体14的体强度降低的问题。尤其是使用专利文献1揭示的以Mn和Ni为主成分并含有Al的热敏电阻材料形成的陶瓷体14具有随时间变化小且可靠性高的效果,却不能充分防止电镀液的侵蚀。因此,为了防止电镀液侵蚀,考虑在陶瓷体14的表面设置玻璃层等绝缘保护层的方法(例如特开平6-231960号等)。
然而,即使在陶瓷体14的表面设置玻璃层,电镀液也从玻璃层存在的微小裂缝或针孔等浸入陶瓷体11,不能充分防止侵蚀陶瓷体14。又,形成玻璃层时,需要在陶瓷体14的表面形成玻璃层的新工序,存在制造工序烦杂的问题。
因此,本发明的目的在于提供一种不形成玻璃层而能防止电镀液侵蚀而且具有良好的可靠性的表面安装型负特性热敏电阻。
为了达到上述目的,本发明人等反复专心研究的结果,发现使用以Mn为必备成分并含有Ni和Co中的至少1种的半导体陶瓷材料形成的陶瓷体中,对Mn、Ni和Co的各组合,使其在规定范围含有Ti,从而得到一种表面安装型负特性热敏电阻,其中即使未必在陶瓷体形成玻璃层等绝缘保护层,也能充分防止电镀液的侵蚀,并具有高可靠性。
发明内容
即,本申请第1发明的表面安装型负特性热敏电阻,具有:包含Mn、Ni和Ti的半导体陶瓷材料组成的陶瓷体、形成在所述陶瓷体的表面的外部电极以及形成在所述外部电极的镀膜,其中,将所述半导体陶瓷材料中包含的Mn的莫尔量表示为a、Ni的莫尔量表示为b时,Mn与Ni的莫尔比为55/45≤a/b≤90/10,而且将所述半导体陶瓷材料中Mn和Ni的总莫尔量取为100份莫尔时,含有的Ti在大于等于0.5份莫尔且小于等于25份莫尔的范围。
本申请第2发明的表面安装型负特性热敏电阻,最好将所述半导体陶瓷材料中包含的Mn的莫尔量表示为a、Ni的莫尔量表示为b时,Mn与Ni的莫尔比为55/45≤a/b≤78.5/21.5,而且将所述半导体陶瓷材料中Mn和Ni的总莫尔量取为100份莫尔时,含有的Ti在大于等于5.0份莫尔且小于等于25份莫尔的范围。
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