[发明专利]金紫豆日光温室种植方法

权利要求书

1.金紫豆日光温室种植方法，其特征在于，具体步骤如下：

（1）选种催芽：将选育好的种子，用30℃，0.1％多菌灵温水浸泡4个小时，阴晾半个小时；然后在催芽床上催芽，自动控制温度在23~25℃；

（2）育苗：取基质营养土，喷水、拌匀后放入育苗盘中；把所述步骤（1）中的已出芽种子倒置播入育苗盘中，再盖上2cm厚的营养土，压平，放入地热温床，然后盖上地膜保温、保湿，白天温度控制在22～28℃，夜晚温度控制在15～20℃；

（3）移栽前土地处理：建设大棚，在大棚内清理前季作物残留物，并进行耕地，翻耕后晒土2-3日；施底肥，每亩施用有机肥1000kg，施复合肥50公斤，撒施后再翻耕耙平、整细土壤，使肥料落入底土层；起厢，使厢面宽116cm，沟宽40cm，厢中铺设片式滴灌带，覆盖黑色地膜； 

（4）移栽和移栽后管理：金紫豆小苗有2叶1心时移栽，单行单株并在地膜开孔后立即栽培，株距60cm；金紫豆苗长至30-50厘米时，用塑钢绳引蔓上架，架高2米；主蔓长至45-55厘米时，对主蔓打顶摘心，促使子蔓和花絮枝发育；子蔓长至45-55厘米时，对子蔓摘心，再次促使分枝；孙蔓有45-55厘米时，对孙蔓摘心，促发花絮枝；

（5）田间管理：开花前，追肥水一次；当第一批豆荚能采收时，每亩追有机肥50公斤；之后，每采收1-2次豆荚，追肥水1次。

2.根据权利要求1所述的金紫豆日光温室种植方法，其特征在于，所述步骤（2）的基质营养土为松软沙壤、谷糠灰或疏松腐熟秸秆按1：1: 1比例配比的混合物。

3.根据权利要求1所述的金紫豆日光温室种植方法，其特征在于，所述步骤（2）中，采用棚内套双层隔膜覆盖日夜通电加温，湿度控制在60%~70%。

4.根据权利要求1所述的金紫豆日光温室种植方法，其特征在于，所述步骤（3）的大棚内设置塑钢绳，形成藤架。

5.根据权利要求1所述的金紫豆日光温室种植方法，其特征在于，所述步骤（4）中在移栽后管理时，剪除无花絮的枝条及老叶、病叶，保持通风透光。

6.根据权利要求1所述的金紫豆日光温室种植方法，其特征在于，所述步骤（5）田间管理时，当第一批豆荚能采收后，对生长势强、分枝力强的品种要看苗施肥，施用有机肥数量少于50公斤。