[发明专利]一种LED像素单元器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种LED像素单元器件结构，用于发射RGB三基色光，其特征在于，包括：

LED模块，所述LED模块包括三个LED芯片单元，所述三个LED芯片单元由同一衬底连接，但相互之间电学隔离；

导热基板，其上具有金属互联结构，所述LED模块倒置于所述金属互联结构上，所述三个LED芯片单元的电极与所述金属互联结构固定连接；

荧光粉，覆盖在所述倒置后的LED模块的衬底上，在所述荧光粉的配合作用下，所述LED芯片单元发出白光；

滤色膜，包括红色滤色膜、绿色滤色膜以及蓝色滤色膜，所述红色滤色膜、绿色滤色膜以及蓝色滤色膜覆盖在所述荧光粉上，且分别对应一个LED芯片单元；

反光杯，位于所述导热基板上，且所述LED模块位于所述反光杯内；

透明硅胶，位于所述反光杯内，将所述LED模块密封在所述反光杯内。

2.如权利要求1所述的LED像素单元器件结构，其特征在于，所述LED芯片单元为蓝光LED芯片单元。

3.如权利要求2所述的LED像素单元器件结构，其特征在于，所述荧光粉为钇铝石榴石荧光粉。

4.如权利要求2所述的LED像素单元器件结构，其特征在于，所述LED芯片单元包括：衬底，在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层以及P型电极金属全发射层，其中，所述P型电极金属全发射层上制备有P型电极，所述N型电子注入层上制备有N型电极。

5.如权利要求4所述的LED像素单元器件结构，其特征在于，所述P型电极及所述N型电极与所述金属互联结构固定连接。

6.如权利要求4所述的LED像素单元器件结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。

7.如权利要求4所述的LED像素单元器件结构，其特征在于，所述LED模块为氮化镓基LED模块，其中，所述低温缓冲层为GaN层，所述N型电子注入层为N型GaN层，所述电子阻挡层为P型AlGaN层，所述P型空穴注入层为P型GaN层。

8.如权利要求1所述的LED像素单元器件结构，其特征在于，所述各LED芯片单元之间设置有电隔离沟槽，各LED芯片单元之间通过所述电隔离沟槽实现电学隔离。

9.一种如权利要求1所述的LED像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

制备所述LED模块，其中，所述LED模块上覆盖有所述荧光粉，所述荧光粉上覆盖有所述滤色膜；

准备所述导热基板；

将所述LED模块倒置于所述导热基板上，所述三个LED芯片单元的电极与所述金属互联结构固定连接；

在所述导热基板上安装反光杯；以及

点胶，将透明硅胶注入至所述反光杯内。

10.如权利要求9所述的LED像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，所述制备LED模块具体包括如下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上依次生长低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层以及P型电极金属全发射层；

依次刻蚀所述P型电极金属全发射层、P型空穴注入层、电子阻挡层、多量子阱有源层、N型电子注入层以及低温缓冲层，形成电隔离沟槽；

依次刻蚀所述P型电极金属全发射层、P型空穴注入层、所述电子阻挡层以及所述多量子阱有源层，形成一台柱面，并露出所述N型电子注入层；

在露出的N型电子注入层上制备N型电极，并在所述P型电极金属全发射层上制备P型电极；

涂敷荧光粉，所述荧光粉覆盖所述衬底的底面；

安装滤色膜，所述滤色膜覆盖所述荧光粉；

划片，形成多个LED模块，其中每个LED模块包括3个LED芯片单元，各LED芯片单元之间通过所述电隔离沟槽实现电学隔离。

11.如权利要求10所述的LED像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，所述LED芯片单元为蓝光LED芯片单元。

12.如权利要求10所述的LED像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，所述荧光粉为钇铝石榴石荧光粉。

13.如权利要求10所述的LED像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。

14.如权利要求10所述的LED像素单元器件结构的制备方法，其特征在于，所述LED模块为氮化镓基LED模块，其中，所述低温缓冲层为GaN层，所述N型电子注入层为N型GaN层，所述电子阻挡层为P型AlGaN层，所述P型空穴注入层为P型GaN层。