[发明专利]一种LED晶片正极焊垫及其制作工艺

说明书

技术领域

本发明属于LED晶片焊垫技术领域，具体涉及一种LED晶片正极焊垫及其制作工艺。

背景技术

近年来LED晶片行业的竞争日趋激烈，特别是2008年的经济危机以来，LED行业的竞争就尤为明显。2009年后半年市场逐步恢复活力，各个国家大力发展LED照明业，使得出现众多的LED晶片生产商，竞争更加激烈。为了增加竞争力，各公司在成本的控制上也是别出心裁，主要从LED晶片的结构上来降低成本。

LED晶片包括由砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中组成的中间发光层、下层的衬底、最下层的晶片负极和最上层的晶片正极焊垫。

现有技术中，晶片正极焊垫是以纯金作为导体，金在导热导电性能上比较优越，但是金属于贵金属，使得LED晶片的成本明显增加，市场竞争力下降。

发明内容

本发明的目的是提供一种LED晶片正极焊垫及其制作工艺，该种LED晶片正极焊垫成本低、制作工艺简单。

本发明的目的之一是这样实现的：一种LED晶片正极焊垫，它包括四层镀层，从下往上依次为第一钛层、第二铝层、第三钛层、第四金层。

优选的，所述第一钛层、所述第二铝层、所述第三钛层、所述第四金层的厚度比为2-3：30-40：2-3：2-4。

较为优选的，所述第一钛层、所述第二铝层、所述第三钛层和所述第四金层的厚度比为2.25：35：2.25：3。

更为优选的，所述第一钛层的厚度为2.25 K?，所述第二铝层的厚度为35 K?，所述第三钛层的厚度为2.25 K?，所述第四金层的厚度为3 K?。

本发明的目的之二是这样实现的：一种LED晶片正极焊垫的制作工艺，它包括以下工艺步骤：

A、温度为35-40℃、真空度为3.5×10^-6- 4.5×10^-6Torr的条件下，在磊晶片上面以2.0-2.5 ?/S的速度蒸镀第一钛层，冷却；

B、温度为35-40℃、真空度为3.5×10^-6- 4.5×10^-6 Torr的条件下，在步骤A得到的第一钛层上面以12-17?/S的速度蒸镀第二铝层，冷却；

C、温度为35-40℃、真空度为3.5×10^-6- 4.5×10^-6 Torr的条件下，在步骤B得到的第二铝层上面以2.0-2.5?/S的速度蒸镀第三钛层，冷却；

D、温度为35-40℃、真空度为3.5×10^-6- 4.5×10^-6 Torr的条件下，在步骤C得到的第三钛层上面以5-7?/S的速度蒸镀第四金层，冷却，完成LED晶片正极焊垫的制作。

优选的，一种LED晶片正极焊垫及其制作工艺，它包括以下工艺步骤：

A、温度为35-40℃、真空度为4.0×10^-6 Torr的条件下，在磊晶片上面以2.2?/S的速度蒸镀第一钛层，冷却；

B、温度为35-40℃、真空度为4.0×10^-6 Torr的条件下，在步骤A得到的第一钛层上面以15?/S的速度蒸镀第二铝层，冷却；

C、温度为35-40℃、真空度为4.0×10^-6 Torr的条件下，在步骤B得到的第二铝层上面以2.2?/S的速度蒸镀第三钛层，冷却；

D、温度为35-40℃、真空度为4.0×10^-6 Torr的条件下，在步骤C得到的第三钛层上面以6?/S的速度蒸镀第四金层，冷却，完成LED晶片正极焊垫的制作。

其中，所述步骤A、步骤B、步骤C和步骤D中冷却的时间为15-20min。

其中，所述步骤A、步骤B、步骤C和步骤D中采用电子枪蒸镀机进行蒸镀。

本发明的有益效果为：本发明采用第一钛层、第二铝层、第三钛层和第四金层的组合取代原来的纯金LED晶片正极焊垫，在焊垫相同厚度的情况下可以节省一半以上的黄金，大大降低了成本。根据实验情况可以看到LED晶片正极焊垫结构的改变并没有造成LED晶片电性及外观等的改变，完全符合标准要求，可完全应用于生产中。

具体实施方式

下面通过实施例对本发明作进一步说明，但本发明的实施范围并不限于此。

实施例1

一种LED晶片正极焊垫，它包括四层镀层，从下往上依次为第一钛层、第二铝层、第三钛层、第四金层，所述LED晶片正极焊垫的制作工艺，它包括以下工艺步骤：