[发明专利]具有光传感器的摄像装置及其制造方法有效
申请号: | 201110138732.3 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102263116A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 三原一郎;若林猛 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/02;H04N5/225 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有光 传感器 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种摄像装置,其特征在于,具有:
透镜单元,光从该透镜单元的一个面入射;以及
光传感器,该光传感器具有:
半导体基板,设置在所述透镜单元的另一面侧,从所述透镜单元出射的光从该半导体基板的一个面入射;以及
光电转换器件区域及连接焊盘,设置在所述半导体基板的另一面侧。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
在上述半导体基板与上述透镜单元之间,具备可视光透射率为90%以上、红外线透射率为10%以下的可视光透射材料。
3.根据权利要求2所述的摄像装置,其特征在于,
上述可视光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸树脂、芴类树脂、环烯烃聚合物、环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯树脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一种。
4.根据权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
上述光传感器具有:
绝缘膜,设置在上述半导体基板的另一面侧;
配线,与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面;
柱状电极,设置在上述配线的焊接区下;以及
密封膜,在上述配线下及上述绝缘膜下,并设置在上述柱状电极的周围。
5.根据权利要求4所述的摄像装置,其特征在于,
在上述光传感器的上述柱状电极下设有焊料球。
6.根据权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
上述光传感器具有:
绝缘膜,设置在上述半导体基板的另一面侧;
配线,与上述连接焊盘相连接地设置在上述绝缘膜的下表面,且具有作为外部连接用电极的焊接区;以及
密封膜,在包含上述配线的上述绝缘膜下,并设置在除上述配线的上述焊接区以外的区域。
7.根据权利要求6所述的摄像装置,其特征在于,
在上述光传感器的上述配线的上述焊接区下设有焊料球。
8.根据权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
构成上述透镜单元的透镜具有只透射10%以下红外线的红外线截止滤波器。
9.一种摄像装置的制造方法,其特征在于,
在将光电转换器件区域以及连接焊盘设在半导体晶片的一个面而得到的光传感器的上述半导体晶片的另一个面配置透镜单元。
10.根据权利要求9所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
在上述半导体基板与上述透镜单元之间,具备可视光透射率为90%以上、红外线透射率为10%以下的可视光透射材料。
11.根据权利要求10所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
上述可视光透射材料包含玻璃、甲基丙烯酸树脂、芴类树脂、环烯烃聚合物、环氧树脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS树脂、聚对苯二甲酸乙二酯、偏氯乙烯树脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷中的某一种。
12.根据权利要求9所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
形成与上述连接焊盘相连接的外部连接用电极,并对上述半导体晶片进行切割而得到多个摄像装置。
13.根据权利要求10所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
具有在配置上述可视光透射材料的工序之前、在上述外部连接用电极下形成焊料球的工序。
14.根据权利要求13所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
具有在形成上述焊料球的工序之后、对上述半导体晶片的上表面侧进行研磨的工序。
15.根据权利要求14所述的摄像装置的制造方法,其特征在于,
具有在形成上述焊料球的工序之后且在对上述半导体晶片的上表面侧进行研磨的工序之前、将保护带贴附到上述半导体晶片的上述焊料球侧的工序,并且具有在配置上述透镜单元的工序之后、将上述保护带剥离的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的