[发明专利]组合物与高分子

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种组合物与高分子，特别涉及用以形成交联高分子化合物的组合物与高分子。

【背景技术】

相比于无机薄膜晶体管(transistor)，有机薄膜晶体管(OTFT)应用于大型显示器具有低制程温度及低成本的优势。因此近年来有许多研究致力于开发OTFT的相关材料及制程技术。目前的研究主要是使用氧化硅作为栅极介电层(gate dielectric layer)。而OTFT未来的发展趋势，材料方面势必是朝向全塑胶化为目标，如此一来才能使用如印刷等可大面积化的低成本制程。因此开发有机高分子材料的栅极介电层非常重要的。

【发明内容】

本发明的一种实施方式提出一种组合物。该组合物包括高分子与三聚氰胺衍生物。该高分子具有以下化学式：

其中R为氢基、卤化物(halide)、烷基、烷氧基、卤烷基或硝基。n为1～5的整数。x+y+z＝1，x＞0，y≥0，z≥0。卤化物基团即为含有卤素的官能基，包括但不限于卤素、卤烷基等。

三聚氰胺衍生物包括

其中R₁为氢基、C_qH_2q+1或m、q独立地为1～10的整数，R₂、R₃与R₄独立地为氢基、卤化物或C₁～C₅₄烷基。

本发明的另一实施方式提出一种高分子。该高分子具有以下化学式：

其中x+y＝1，x＞0，y≥0。

【附图说明】

图1显示比较例2、实施例3与实施例4的金属-绝缘体-金属(Metal-insulator-Metal；MIM)电容结构的电流-电压响应(I-V response)结果。

图2显示比较例22与实施例24的MIM电容结构的电流-电压响应结果。

图3显示MIM电容结构的电容-电压响应(C-V response)结果，该电容结构具有由实施例3的组合物形成的介电层。

图4显示MIM电容结构的电容-电压响应结果，该电容结构具有由比较例22的组合物形成的介电层。

图5显示具有从比较例14与实施例15的组合物所制得的栅极介电层的OTFT的电流-电压曲线图。

图6显示具有从比较例7与实施例23的组合物的栅极介电层的OTFT的电流-电压曲线图。

【具体实施方式】

本发明的一实施方式提供一种高分子化合物。该高分子化合物系通过组合物形成。该组合物系包括高分子与三聚氰胺衍生物。该高分子可具有以下化学式：

其中R可为氢基、卤化物(halide)(即含有卤素的官能基)、烷基、烷氧基、卤烷基或硝基。n可为1～5的整数。x+y+z＝1，x＞0，y≥0，z≥0。三聚氰胺衍生物可包括

R₁可为氢基、C_qH_2q+1或m、q独立地为1～10的整数。

R₂、R₃与R₄可独立地为氢基、卤化物或C₁～C₅₄烷基。

组合物可还包括交联剂。交联剂可包括

R₂、R₃与R₄可独立地为氢基、卤化物或C₁～C₅₄烷基。R₅可为氢基或

于一些实施例中，高分子可具有以下化学式：

其中x+y＝1，x＞0，y≥0。

组合物还可包括添加剂。添加剂可包括硅氧烷、二苯甲酮(Benzophenone)、2-羟基-2-甲基苯丙酮(2-Hydroxy-2-methylpropiophenone)、偶氮二异丁腈(Azobisisobutyronitrile)或上述的组合。

本发明一实施方式的交联高分子化合物为具有优异性质的介电材料。交联高分子化合物具有良好的大气稳定性，即使放置在大气环境下超过一个星期，交联高分子化合物的介电常数也不会有太大的改变。此外，漏电流密度小且电绝缘效果佳。应用在有机薄膜晶体管中作为栅极介电层，或是应用在电容结构的介电层，元件会具有良好的效能。