[发明专利]一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，其特征在于，在SOI衬底上制备，包括如下步骤：

1)隔离工艺；

2)淀积SiO₂、淀积SiN；

3)光刻定义沟道区和大源漏区；

4)通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO₂硬掩膜上；

5)淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；

6)光刻定义Fin条；

7)通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到材料A上，形成Fin和大源漏的硬掩膜；

8)以材料A和SiN为硬掩膜，刻蚀Si，形成Si Fin条和大源漏；

9)淀积SiN；

10)刻蚀SiN，形成SiN侧墙；

11)氧化，形成纳米线；

12)湿法去除氧化层，形成悬空纳米线；

13)形成栅氧化层；

14)淀积多晶硅；

15)光刻定义栅线条；

16)通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；

17)注入多晶硅和源漏；

18)湿法腐蚀SiN；

19)淀积SiO₂，形成空气侧墙；

20)退火激活杂质；

21)采用常规CMOS后端工艺完成后续流程，完成器件制备。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)采用硅岛隔离或者硅的局部氧化隔离。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)、5)、9)、14)、19)采用的是化学气相淀积方法。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤4)、7)、8)、16)采用的是各向异性干法刻蚀。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤10)采用的是各项异性干法刻蚀，要保证源漏上方仍然有SiN保留而不是全部被刻蚀掉。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤11)采用的是干氧氧化或氢氧合成氧化。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤12)采用的是氢氟酸去掉氧化层。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤13)采用的是干氧氧化形成SiO₂介质层。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤18)采用的是170℃浓磷酸去除SiN。