[发明专利]激光混强场装置无效
| 申请号： | 201110139168.7 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102251078A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴九汇;胡志平;张铁山 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C21D1/09 | 分类号： | C21D1/09;C22F3/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 混强场 装置 | ||
【权利要求书】：
1.激光混强场装置，其特征在于：包括内腔为球形结构的壳体(1)，在壳体(1)的球形内腔中镶嵌有若干个半导体激光器阵列(2、7、8)，除半导体激光器陈列(2)出射口处的壳体内壁上设置有一层耐高温全反射层(3)，在各半导体激光器阵列的出射口均设置有挡板(4、6、9)，壳体(1)的一侧开设有一面积为S1的开口(5)，该开口(5)上安装有内壁设置有耐高温全反射层的封闭门。
2.根据权利要求1所述的激光混强场装置，其特征在于：所述的开口(5)的面积S1/S≤0.0025，其中S为壳体的内表面面积。
3.根据权利要求1所述的激光混强场装置，其特征在于：所述的半导体激光器阵列(2、7、8)的出射光偏离开口(5)。
4.根据权利要求1所述的激光混强场装置，其特征在于：所述的挡板(4、6、9)为石英玻璃板。
5.根据权利要求1所述的激光混强场装置，其特征在于：所述的壳体(1)的外侧设置有水冷却装置。
6.根据权利要求1所述的激光混强场装置，其特征在于：所述的耐高温全反射层采用三维光子晶体结构材料。
7.根据权利要求6所述的激光混强场装置，其特征在于：所述的三维光子晶体结构材料通过反蛋白石(Inverted Opal)光子晶体合成的方法制得，按体积比填充材料占24％，空气占76％，所述的填充材料采用折射率较大的耐高温材料砷化镓、二氧化钛或硫化镉。
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