[发明专利]一种TE01P模同轴Ramsey腔

权利要求书

1.一种TE_01P模同轴Ramsey腔，所述的TE_01P模同轴Ramsey腔包括具有两个分离振荡场作用区的TE_01P模同轴腔、同轴线输入耦合环激励机构；

其特征在于：所述的TE_01P模同轴Ramsey腔包括同轴腔主体(13)、带截止波导区的下短路端盖(1)、外导管(2)、内导管(3)、带截止波导区的上短路端盖(4)、支固介质套、输入同轴线固定座(6)、带耦合环的输入同轴线(7)、同轴腔内的下间隙区(8)、同轴腔内的上间隙区(8′)、下截止波导区(9)、上截止波导区(9′)、原子通道(10)、腔频微调螺钉(11)、腔内下截止波导管段(12)和腔内上截止波导管段(12′)；

所述的内导管(3)通过支固介质套同轴固定于所述的外导管(2)内，带有下截止波导区(9)的下短路端盖(1)和带有上截止波导区(9′)的上短路端盖(4)分别固定于所述的外导管(2)的下、上方，同轴对称地装配成所述的同轴腔主体(13)；

所述的腔频微调螺钉(11)和输入同轴线固定座(6)轴对称地固定在同轴腔主体(13)中心部位的外导管(2)的壁上；

下截止波导区(9)、上截止波导区(9′)和内导管(3)构成所述的原子通道(10)；

所述的同轴腔内的下间隙区(8)位于所述的腔内下截止波导管段(12)和内导管(3)的下端之间；

所述的同轴腔内的上间隙区(8′)位于所述的腔内上截止波导管段(12′)和内导管(3)的上端之间。

2.根据权利要求1所述的TE_01P模同轴Ramsey腔，其特征在于：

所述的下短路端盖(1)和所述的上短路端盖(4)在腔内的之间的距离为1/2Pλg，所述的P为奇数；

所述的同轴腔内的下间隙区(8)和同轴腔内的上间隙区(8′)分别距离所述的下短路端盖(1)和上短路端盖(4)的下、上短路端面为1/8λg至3/8λg之间。

3.根据权利要求2所述的TE_01P模同轴Ramsey腔，其特征在于：

所述的奇数＞3。

4.根据权利要求2或3所述的TE_01P模同轴Ramsey腔，其特征在于：

所述奇数为9或者11。

5.根据权利要求1所述的TE_01P模同轴Ramsey腔，其特征在于：

所述的同轴腔内的下间隙区(8)和所述的同轴腔内的上间隙区(8′)的宽度分别为1/4λg；

所述的腔内下截止波导管段(12)和腔内上截止波导管段(12′)的长度为1/8λg。

6.根据权利要求1所述的TE_01P模同轴Ramsey腔，其特征在于：

所述的支固介质套为圆管式支固介质套(5)。

7.根据权利要求1所述的TE_01P模同轴Ramsey腔，其特征在于：

所述的支固介质套为圆环式支固介质套(5′)。

8.根据权利要求1所述的TE_01P模同轴Ramsey腔，其特征在于：

所述的支固介质套为套管式支固介质套(5″)。

9.根据权利要求7所述的TE_01P模同轴Ramsey腔，其特征在于：

所述的圆环式支固介质套(5′)的数量≥2。

10.根据权利要求8所述的TE_01P模同轴Ramsey腔，其特征在于：

所述的套管式支固介质套(5″)的数量为2个。