[发明专利]可调制的聚焦环和利用该聚焦环调节等离子处理器的方法

权利要求书

1.一种可调制的聚焦环，该聚焦环（3）设为环形结构，其环绕套设在晶圆（1）外侧壁，所述的聚焦环（3）和晶圆（1）一起设置在基座（2）的顶面上；

其特征在于，该聚焦环（3）还连接有温度调节装置（4），用于调节所述聚焦环（3）的温度；

所述的聚焦环（3）中掺杂有阻抗调节材料, 该阻抗调节材料的阻抗随温度变化。

2.如权利要求1所述的可调制的聚焦环，其特征在于，所述的温度调节装置（4）采用冷却器或电阻丝。

3.如权利要求1所述的可调制的聚焦环，其特征在于，所述的阻抗调节材料采用导体或半导体；该阻抗调节材料的阻抗随温度变化。

4.如权利要求1所述的可调制的聚焦环，其特征在于，所述的聚焦环（3）的顶部与所述的晶圆（1）的顶部高度一致。

5.如权利要求1所述的可调制的聚焦环，其特征在于，所述的聚焦环（3）的底部与所述的基座（2）的顶部相贴合。

6.一种等离子处理器调节方法，

其中所述等离子处理器包括：一个基座（2），其中基座（2）上方包括固定晶圆（1）的平台（21），一个半导体聚焦环（3）围绕晶圆固定平台（21），所述聚焦环（3）包括一个温度调节装置（4），基座（2）中包括一个电极连接到一个射频电源，

所述等离子处理器调节方法包括：

向基座（2）中的电极供应射频能量以产生第一分布等离子体（5），聚焦环（3）工作在第一温度；

控制温度调节装置（4）使半导体聚集环（5）工作在第二温度，产生第二分布的等离子体（5），

其中第一温度和第二温度的差大于50°C。

7.如权利要求6所述的等离子处理器调节方法，其特征在于，所述的半导体聚焦环（3）的电阻随温度变化。

8.如权利要求6所述的等离子处理器调节方法，其特征在于，所述的半导体聚焦环（3）第一温度和第二温度的差大于65°C。