[发明专利]一种单晶光纤荧光温度传感器探头及其制备方法

权利要求书

1.一种单晶光纤荧光温度传感器探头，其特征在于：由单晶光纤（1）与荧光光纤探头（2）直接生长为一体。

2.根据权利要求1所述的单晶光纤荧光温度传感器探头，其特征在于：所述单晶光纤（1）的材料为Al₂O₃或Y₃Al₅O₁₂。

3.一种权利要求1或2的单晶光纤荧光温度传感器探头的制备方法，其特征在于：使用附着方法在清洁的单晶源棒（5）一端附上一层荧光氧化物（6），接着将附着了荧光氧化物（6）的单晶源棒（5）安装到激光加热基座法生长装置的源棒夹具中，并将单晶光纤籽晶（3）安装到激光加热基座法生长装置的籽晶夹具中；将两束CO₂激光束聚焦到单晶源棒（5）的顶端，待单晶源棒（5）的顶端熔化形成稳定熔区后，将所述籽晶夹具中的单晶光纤籽晶（3）下降点入到单晶源棒顶端的所述熔区而形成单晶光纤生长熔区（4）；接着将单晶光纤籽晶（3）以提拉速度V_f向上提拉，同时将单晶源棒（5）以馈送速度V_s向上馈送，从而生长出单晶光纤，单晶光纤提拉速度V_f与单晶源棒馈送速度V_s满足以下关系：

                       

式中，D_f、D_s 分别为生长出的单晶光纤直径和单晶源棒直径；

    当单晶源棒上附着的荧光氧化物（6）馈送进入到单晶光纤生长熔区（4）后，生长出的单晶光纤掺入了用于荧光温度传感的荧光离子而在单晶光纤上生长出荧光光纤探头（2），得到所述单晶光纤荧光温度传感器探头。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述单晶光纤（1）的直径为100μm～1000μm。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述荧光氧化物（6）为过渡离子氧化物或稀土离子氧化物。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征是：所述附着方法为涂敷或蒸镀。