[发明专利]半导体元件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子元件，尤其涉及半导体元件及其制作方法。

背景技术

在设计与封装半导体集成电路时，需要考虑几个方面。需避免湿气进入线路中，因为：(1)氧化物会捕捉(trap)湿气而导致氧化物的介电常数增加；(2)在互补式金属氧化物半导体晶体管中，湿气会在栅氧化物中产生被捕捉的电荷中心(trapped charge center)，而导致临界电压(threshold voltage)偏移；(3)湿气会在硅与栅氧化物的界面产生界面状态(interface state)而增加热电子敏感性，以致于晶体管的使用寿命缩短；(4)湿气会使金属内连线被腐蚀并降低集成电路的可靠度；以及(5)当湿气被捕捉于硅与氧化物的界面时，湿气会降低氧化物的机械强度，且氧化物会变得更容易因拉应力而破裂。离子污染物也可损害集成电路，因为离子污染物可在硅氧化物中快速扩散。举例来说，离子污染物会导致互补式金属氧化物半导体晶体管的临界电压不稳定并且改变在离子污染物附近的硅表面的表面电位(surface potential)。用以分离相邻的集成电路芯片的的切割工艺也可能对集成电路产生潜在的损害。

业界已使用密封环来保护集成电路免于受到湿气劣化、离子污染、以及切割工艺的影响，但仍需要再加以改进。特别是，若是密封环没有适当的接地，则密封环会导致信号干扰(signal interference)。再者，当将密封环接地时，必须考虑设计法则(design rule)与电路面积的问题。因此，急需半导体元件的制作方法的改良及其所制得的元件。

发明内容

为克服上述现有技术的缺陷，本发明一实施例提供一种半导体元件，包括一基板，具有一密封环区与一电路区；至少一角落凸块，配置于电路区中；一密封环结构，配置于密封环区中；以及一连接结构，电性连接密封环结构的一金属层与至少一角落凸块，至少一角落凸块耦接一信号接地。

本发明另一实施例提供一种半导体元件，包括一基板，具有一密封环区与一电路区；多个角落凸块，配置于一三角形角落凸块区中，三角形角落凸块区位于电路区的各角落；一密封环结构，配置于密封环区中；以及多个连接结构，各连接结构电性连接密封环结构的一金属层至一对应的角落凸块，各角落凸块耦接一信号接地。

本发明又一实施例提供一种半导体元件的制作方法，包括提供一基板，基板具有一密封环区与一电路区；提供至少一角落凸块于电路区的一三角形角落凸块区中；提供一密封环结构于密封环区中；电性连接密封环结构的一金属层至至少一角落凸块；以及电性连接至少一角落凸块至一信号接地。

本发明有助于在使密封环结构接地时避免产生面积损失与额外的制作成本。

附图说明

图1绘出本发明一实施例的一具有密封环结构的半导体元件的制作流程图，该密封环结构电性连接一角落凸块。

图2绘出本发明一实施例的一具有接地密封环结构的集成电路芯片的俯视图。

图3绘出图2的密封环沿I-I’线段的剖面图。

图4绘出本发明一实施例的一电性连接角落凸块的密封环结构的剖面图。

图5A至图5B绘出本发明多个实施例的集成电路芯片的各种不同的三角形角落凸块区的俯视图，且图5C绘出本发明一实施例的一角落凸块的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100～制作方法；

102、104、106、108、110～步骤；

200～半导体元件；

201～密封环区；

202～集成电路芯片；

204～组件隔离区；

210～密封环结构；

212～导电层；

214～导孔层；

216～介电层；

220～元件部；

222～金属连接结构、连接结构；

224～角落凸块；

225～基座；

302～半导体基板、基板；

304～P型井；

306～中间层；

308～隔离结构；

308a、308b～浅沟槽隔离结构；

310～掺杂有源区；

312～接触条；

402～信号接地；

502a、502b～集成电路区；

524～角落凸块；

532、532a、532b～三角形角落凸块区。

具体实施方式