[发明专利]薄膜磁电阻传感元件、多个传感元件的组合及与该组合耦合的电子装置

权利要求书

1.一种薄膜磁电阻传感元件，用来检测垂直于其所沉积的基片平面的磁场分量，其特征在于包括：

一自由层，该自由层的材料固有的易轴被设置成垂直于其所沉积的基片平面；

一参考层，所述参考层中的磁化方向限制为平行于基片平面的方向，该参考层由与反铁磁层磁藕合的铁磁层构成或由比自由层矫顽力高的铁磁层构成；

一隔离层，该隔离层位于所述自由层和参考层之间，该隔离层由绝缘材料或是导电材料制成。

2.如权利要求1所述的薄膜磁电阻传感元件，其特征在于：它还包括永磁体，用于施加一平行于沿平行于基片平面方向的自由层的磁场，该磁场用来减小自由层对外加的垂直于基片平面的磁场响应的磁滞。

3.一种薄膜磁电阻传感元件，用来检测垂直于其所沉积的基片平面的磁场分量，其特征在于包括：

一自由层，该自由层的材料固有的易轴被设置成垂直于其所沉积的基片平面；

一参考层，该参考层的磁化方向限制为平行于基片平面的方向，该参考层由具有垂直各向异性和形状各向异性的铁磁材料构成，该参考层具有比自由层更高的矫顽力；

一隔离层，所述隔离层位于所述自由层和参考层之间，该隔离层由绝缘或是导电材料制成。

4.如权利要求3所述的薄膜磁电阻传感元件，其特征在于：它还包括永磁体，该永磁体施加一平行于沿平行于基片平面的方向的自由层的磁场，该磁场用来减小自由层对外加的垂直于基片平面的磁场响应的磁滞。

5.一种薄膜磁电阻传感元件，用来检测垂直于其所沉积的基片平面的磁场分量，其特征在于包括：

一自由层，该自由层的材料固有的易轴被设置成垂直于其所沉积的基片平面； 

一第一参考层，其磁化方向限制为平行于基片平面的方向，该第一参考层由具有垂直各向异性和形状各向异性的铁磁材料构成，该第一参考层具有比自由层更高的矫顽力；

一第一隔离层，其位于所述自由层和第一参考层之间，该第一隔离层由绝缘材料制成；

一第二参考层，其磁化方向与第一参考层方向相反，该第二参考层由具有垂直各向异性和形状各向异性的铁磁材料构成，该第二参考层具有比自由层更高的矫顽力；

一第二隔离层，其位于自由层和第二参考层之间，该第二隔离层由导电材料制成。

6.如权利要求5所述的薄膜磁电阻传感元件，其特征在于：它还包括永磁体，该永磁体施加一平行于沿基片平面的方向的自由层的磁场，该磁场用来减小自由层对外加的垂直于基片平面的磁场响应的磁滞。

7.多个如权利要求1所述的传感元件的组合，其特征在于：多个传感元件沉积到相同的基片上且成形为多个形状，每一个传感元件对沿两个或更多个倾斜轴施加的磁场具有不同的灵敏度。

8.一种与权利要求7所述传感元件组合耦合的电子装置，用来对不同的传感元件响应在表达两个或三个正交的磁场方向的坐标系中退卷积。

9.多个如权利要求3所述的传感元件的组合，其特征在于：多个传感元件沉积到相同的基片上且成形为多个形状，每一个传感元件对沿两个或更多个倾斜轴施加的磁场具有不同的灵敏度。

10.一种与权利要求9所述传感元件组合耦合的电子装置，用来对不同的传感元件响应在表达两个或三个正交的磁场方向的坐标系中退卷积。

11.多个如权利要求5所述的传感元件的组合，其特征在于：多个传感元件沉积到相同的基片上且成形为多个形状，每一个传感元件对沿两个或更多个倾斜轴施加的磁场具有不同的灵敏度。

12.一种与权利要求11所述传感元件组合耦合的电子装置，用来对不同的传感元件响应在表达两个或三个正交的磁场方向的坐标系中退卷积。

13.多个如权利要求1所述的传感元件的组合，其特征在于：多个传感元件沉积到相同的基片上且排列在高磁导率的铁磁平面周围的不同位置上，用来将外加磁场分为不同方向的分量。

14.一种与权利要求13所述传感元件组合耦合的电子装置，用来对具有三个正交方向的坐标系中的不同传感元件的响应进行退卷积。

15.多个如权利要求3所述的传感元件的组合，其特征在于：多个传感元件沉积到相同的基片上且排列在高磁导率的铁磁平面周围的不同位置上，用来将外加磁场分为不同方向的分量。