[发明专利]CVD设备和该CVD设备的控制方法有效
申请号: | 201110141318.8 | 申请日: | 2011-05-27 |
公开(公告)号: | CN102796993A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 袁强 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cvd 设备 控制 方法 | ||
1.一种CVD设备,其特征在于,包括:
腔体,所述腔体形成腔室;
设置在所述腔室顶部的电极板;
呈水平放置的多个传动轮,所述多个传动轮设置在所述腔室之内;
载板,所述载板放置在所述多个传动轮之上,所述传动轮转动以带动所述载板水平移动;
第一升降机构,所述第一升降机构分别位于所述电极板的两端,所述第一升降机构用于支撑所述电极板,并通过升降改变所述电极板与所述载板间的垂直距离和
控制器,所述控制器与所述多个传动轮和所述第一升降机构相连,所述控制器用于控制所述多个传动轮的转动以及所述第一升降机构的升降,以将所述电极板和所述载板移出或者移入所述腔室。
2.如权利要求1所述的CVD设备,其特征在于,所述第一升降机构包括:
升降机;
与所述升降机相连的连接机构;
屏蔽件,所述屏蔽件的一端与所述连接机构相连,所述屏蔽件的另一端用于支撑所述电极板并屏蔽射频。
3.如权利要求2所述的CVD设备,其特征在于,所述屏蔽件的宽度大于所述载板的宽度。
4.如权利要求3所述的CVD设备,其特征在于,所述屏蔽件之中设有开口,当所述第一升降机构控制所述电极板升至反应位置时,所述开口与所述载板相对以使所述载板穿过所述开口并移出所述腔室。
5.如权利要求3所述的CVD设备,其特征在于,所述载板的面积小于所述电极板的面积。
6.如权利要求1所述的CVD设备,其特征在于,还包括:
加热器,所述加热器位于所述载板之下。
7.如权利要求1所述的CVD设备,其特征在于,还包括:
第二升降机构,所述第二升降机构位于所述载板之下,所述第二升降机构用于支撑所述载板,并控制所述载板垂直移动。
8.如权利要求1所述的CVD设备,其特征在于,所述电极板与电源相连,所述载板与地相连。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的CVD设备的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:
控制所述CVD设备的多个转动轮转动以将所述载板移出所述腔室;
控制所述第一升降机构下降以使所述电极板与所述多个转动轮接触,并使所述电极板脱离所述第一升降机构的支撑;
控制所述多个转动轮转动以将所述电极板移出所述腔室;
将清洗或更换后的电极板移入所述腔室;
控制所述第一升降机构上升以使所述第一升降机构支撑所述清洗或更换后的电极板,并将控制所述清洗或更换后的电极板升至反应位置;和
将所述载板移入所述腔室。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的