[发明专利]化学放大负性抗蚀剂组合物和图案形成方法有效

专利信息
申请号: 201110141668.4 申请日: 2011-02-25
公开(公告)号: CN102253600A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 增永惠一;渡边聪;畠山润;大泽洋一;土门大将 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G03F7/038 分类号: G03F7/038;G03F7/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 任宗华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 化学 放大 负性抗蚀剂 组合 图案 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种化学放大负性抗蚀剂组合物,包括(A)可溶于含水碱性显影剂的基础聚合物,(B)能够产生酸催化剂的酸产生剂,和(C)作为碱性组分的含氮化合物,所述作为组分(A)的基础聚合物在有或没有交联剂存在下,在酸催化剂作用下变为碱不溶性,其中

包括以下聚合物作为所述基础聚合物的至少一部分,所述聚合物包含具有通式(1)氟化羧酸鎓盐的重复单元,并具有1,000至50,000的重均分子量,

其中R1是衍生自能够提供可聚合单体聚合活性的基础骨架的结构,其由以下通式任何一种表示:

其中结构中从氧原子延伸的价键表示与W1的键,

R2是氟或氟烷基,

W1是二价有机基,和

Q+是通式(a)或(b)的硫鎓阳离子,或通式(c)的碘鎓阳离子:

其中R3,R4和R5各自独立是取代或未取代、直链或支化C1-C10烷基、烯基或氧代烷基,或取代或未取代的C6-C18芳基、芳烷基或芳基氧代烷基,或R3,R4和R5中的至少两个可以与硫原子一起键合成环,

其中R6是取代或未取代、直链、支化或环状的C1-C20烷基或烯基,或取代或未取代的C6-C14芳基,m是1至5的整数,n是0或1,R6可具有在其上取代的羰基、羟基、酯结构、内酯结构、氨基、酰胺基或醚键氧原子,

其中R6是取代或未取代、直链、支化或环状的C1-C20烷基或烯基,或取代或未取代的C6-C14芳基,m是1至5的整数,n是0或1,R6可具有在其上取代的羰基、羟基、酯结构、内酯结构、氨基、酰胺基或醚键氧原子。

2.权利要求1的抗蚀剂组合物,其中具有通式(1)氟化羧酸鎓盐的重复单元是具有通式(2)氟化羧酸鎓盐的重复单元,

其中R7是氢或甲基,R8是氢或C1-C6烷基,R3,R4和R5各自独立是取代或未取代、直链或支化C1-C10烷基、烯基或氧代烷基,或取代或未取代的C6-C18芳基、芳烷基或芳氧烷基,或R3,R4和R5中至少两个可以与硫原子一起键合成环。

3.权利要求1的抗蚀剂组合物,其中包含氟化羧酸鎓盐重复单元的聚合物进一步包括具有通式(3)的单元:

其中R7是氢或甲基,A是单键或可以被醚键隔开的C1-C10亚烷基,R8各自独立是氢或C1-C6烷基,a是0至4的整数,b是1至5的整数,s是0或1,t是0至2的整数。

4.权利要求1的抗蚀剂组合物,其中包含氟化羧酸鎓盐重复单元的聚合物进一步包括具有通式(4)的单元:

其中R7是氢或甲基,R10选自氢、卤素、任选卤素取代的C1-C8烷基或烷氧基、脂环基、芳族基,以及任选卤素取代的C2-C8烷基羰氧基,c是1至5的整数。

5.权利要求1的抗蚀剂组合物,进一步包括不含通式(1)重复单元的聚合物作为所述基础聚合物的一部分。

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