[发明专利]异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构

权利要求书

1.一种异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构，自上而下依次包括：

异质金属堆叠栅结构；

栅绝缘层；

本征或者n^-掺杂应变Si沟道层；

本征或者n^-掺杂组分渐变的应变Si_1-xGe_x层；

n掺杂弛豫Si_1-yGe_y层；

台阶式埋氧层；

n掺杂衬底部分，由n⁺掺杂弛豫Si_1-yGe_y层，n^-掺杂弛豫Si_1-yGe_y缓冲层、n掺杂驰豫SiGe渐变层以及n^-掺杂单晶Si(100)衬底四部分构成。

2.如权利要求1所述的SSGOI pMOSFET器件结构，其特征在于，所述异质金属堆叠栅结构包括一个靠近源端的金属栅极M1，一个靠近漏端的金属栅极M2，以及在M1、M2之上的金属栅极M3，M1和M2完全被M3覆盖，并且栅极M1的功函数W_M1、栅极M2的功函数W_M2、金属栅极M3的功函数W_M3应满足W_M1＜W_M3，W_M1＜W_M2；若W_M2＜W_M3，则M1、M2和M3的几何结构参数设计还需要满足以下条件：

S.t.td,M1M1/M3≤tC,M1≤tM1;td,M2M2/M3≤tC,M2≤tM2;tM1=tM2;td,M1M1/M2≤LM1.]]>

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