[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

页区域，所述页区域包括多个正常单元和多个辅助单元；

检测单元，所述检测单元被配置为当所述页区域的编程目标单元中有至少一个单元被编程了高于参考电压的电压时输出合格信号；

计数储存单元，所述计数储存单元被配置为在所述页区域的第一编程操作期间将计数储存在所述多个辅助单元中，其中所述计数表示直到从所述检测单元输出所述合格信号为止施加给所述至少一个单元的编程脉冲的总数；以及

电压设置单元，所述电压设置单元被配置为基于储存在所述多个辅助单元中的所述计数来为所述页区域的第二编程操作设置编程起始电压，

其中，在完成所述第一编程操作之后，在与所述第一编程操作相同的页区域中使用所述第一编程操作中的所述计数来执行所述第二编程操作，

其中，所述电压设置单元被配置为读取储存在所述多个辅助单元中的所述计数，通过将所述计数和单位步进电压相乘所获得的电压与所述第二编程操作的初始的编程起始电压相加来获得总和电压，并且将所述总和电压设置为所述第二编程操作的所述编程起始电压。

2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括计数单元，所述计数单元被配置为对所述编程脉冲进行计数，并将所述计数传送给所述计数储存单元。

3.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括：

与所述多个正常单元相对应的正常页缓冲单元；和

与所述多个辅助单元相对应的辅助页缓冲单元。

4.如权利要求3所述的非易失性存储装置，其中，所述计数储存单元被配置为将所述计数输出给所述辅助页缓冲单元。

5.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，

所述正常单元和所述辅助单元是多电平单元MLC，

所述第一编程操作是最低有效位LSB编程操作，以及

所述第二编程操作是最高有效位MSB编程操作。

6.一种非易失性存储装置，包括：

共用字线的第一页区域和第二页区域，其中所述第一页区域和所述第二页区域中的每个包括多个正常单元和多个辅助单元；

合格检测单元，所述合格检测单元被配置为当所述第一页区域的编程目标单元中有至少一个单元被编程了高于参考电压的电压时输出第一合格信号，以及当所述第二页区域中的编程目标单元中有至少一个单元被编程了高于参考电压的电压时输出第二合格信号；

第一电压调整单元，所述第一电压调整单元被配置为将第一计数储存在所述第一页区域的所述多个辅助单元中，并根据储存的所述第一计数来调整第一编程起始电压，其中所述第一计数表示直到从所述合格检测单元输出所述第一合格信号为止施加给所述第一页区域的编程脉冲的总数；以及

第二电压调整单元，所述第二电压调整单元被配置为将第二计数储存在所述第二页区域的所述多个辅助单元中，并根据储存的所述第二计数来调整第二编程起始电压，其中所述第二计数表示直到从所述合格检测单元输出所述第二合格信号为止施加给所述第二页区域的编程脉冲的总数，

其中，所述第一电压调整单元包括：

第一计数储存单元，所述第一计数储存单元被配置为在所述第一页区域的第一编程操作中将所述第一计数储存在所述第一页区域的所述多个辅助单元中；以及

第一电压设置单元，所述第一电压设置单元被配置为根据所述第一计数来设置所述第一编程起始电压，并对所述第一页区域的第二编程操作施加所述第一编程起始电压，

其中，在完成所述第一编程操作之后，在与所述第一编程操作相同的页区域中使用所述第一编程操作中的所述计数来执行所述第二编程操作，

其中，所述第一电压设置单元被配置为读取储存在所述第一页区域的所述多个辅助单元中的所述第一计数，通过将读取的所述第一计数乘以步进电压所获得的电压与用于第一编程起始电压的初始编程起始电压相加来获得总和电压，并施加所述总和电压作为用于所述第一页区域的第二编程操作的第一编程起始电压。