[发明专利]一种碳纳米材料复合场致电子发射膜及其制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米材料复合场致电子发射膜，其特征在于，包括：

碳纳米材料，含量为10%-70%；

至少一种选自ZnO，SnO₂、In₂O₃、PdO、Sb₂O₃、ZrC、HfC、WC、HfB₂、ZrB₂、LaB₆、CeB₆、YB₄、GdB₄、ZrN和HfN的半导体金属氧化物纳米颗粒，含量为30%-90%。

2.根据权利要求1所述的碳纳米材料复合场致电子发射膜，其特征在于，所述碳纳米材料复合场致电子发射膜的电阻为10 kΩ-1000 kΩ。

3.根据权利要求1或2所述的碳纳米材料复合场致电子发射膜，其特征在于，所述碳纳米材料包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管、多壁碳纳米管、石墨烯纳米片、碳纳米纤维及其混合物的材料。

4.根据权利要求1所述的碳纳米材料复合场致电子发射膜，其特征在于，所述的半导体金属氧化物纳米颗粒的平均颗粒直径为10-1000nm。

5.一种制备权利要求1所述的碳纳米材料复合场致电子发射膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）把按照一定比例称取的半导体金属氧化物纳米颗粒和碳纳米材料分别超声分散到松油醇和乙基纤维素中，形成两种浆料，并进行混合分散，形成半导体金属氧化物掺混碳纳米材料复合浆料；

（2）采用丝网印刷工艺把半导体金属氧化物掺混碳纳米材料复合浆料印刷在导电衬底上制备为半导体金属氧化物掺混碳纳米材料薄膜； 

（3）采用两步烧结工艺，在保护气体气氛中250-350℃初次烧结2-4 h，使有机粘合剂分解蒸发并使碳纳米材料与半导体金属氧化物固化形成复合薄膜，然后在450℃二次烧结2 h，进一步使残留有机粘合剂充分分解蒸发并使碳纳米材料与半导体金属氧化物固化形成复合薄膜。