[发明专利]电流扩散电极、半导体发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种电流扩散电极，其特征在于，所述电流扩散电极包括单晶薄膜层和透明导电薄膜层，所述单晶薄膜层和透明导电薄膜层呈互补排列形成单层复合膜，该单层复合膜可与p型氮化物层接触，所述单晶薄膜层的材料为透明导电氧化物。

2.根据权利要求1所述的电流扩散电极，其特征在于，所述单晶薄膜层和透明导电薄膜层的表面呈粗糙态，且两种薄膜层的粗糙程度不同。

3.根据权利要求1或2所述的电流扩散电极，其特征在于，所述单晶薄膜层的材料为氧化锌掺铝，透明导电薄膜层的材料为氧化铟锡。

4.根据权利要求1或2所述的电流扩散电极，其特征在于，所述单晶薄膜层和透明导电薄膜层均为条纹状图案，且相互间隔交替排列形成单层复合膜。

5.根据权利要求1或2所述的电流扩散电极，其特征在于，所述单晶薄膜层的折射率为1.8-1.9。

6.一种电流扩散电极的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S11、在p型氮化物层上通过MOCVD方法沉积一单晶薄膜层；

S12、在单晶薄膜层上涂覆光刻胶，并进行光刻处理，得到预设的光刻胶图案；

S13、刻蚀去除未被光刻胶保护的单晶薄膜层，得到单晶薄膜层和p型氮化物层互补排列的图案；

S14、在单晶薄膜层和p型氮化物层互补排列的图案上通过低温蒸镀沉积一层透明导电薄膜；

S15、去胶和剥离处理，去除光刻胶和附着于光刻胶上的透明导电薄膜，得到单晶薄膜层和透明导电薄膜层互补排列形成的单层复合膜结构。

7.根据权利要求6所述的电流扩散电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S12为：在单晶薄膜层上涂覆光刻胶，并进行光刻处理，得到在单晶薄膜层上间隔交替排列的条纹状光刻胶图案；

步骤S13为：刻蚀去除未被光刻胶保护的单晶薄膜层，得到单晶薄膜层和p型氮化物层间隔交替排列的条纹状图案；

步骤S14为：在单晶薄膜层和p型氮化物层间隔交替排列的条纹状图案上通过低温蒸镀沉积一层透明导电薄膜；

步骤S15为：去胶和剥离处理，去除光刻胶和附着于光刻胶上的透明导电薄膜，得到单晶薄膜层和透明导电薄膜层间隔交替排列形成的单层复合膜结构。

8.根据权利要求6或7所述的电流扩散电极，其特征在于，所述单晶薄膜层的材料为氧化锌掺铝，透明导电薄膜层的材料为氧化铟锡。

9.根据权利要求6或7所述的电流扩散电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S12中，在单晶薄膜层上涂覆的光刻胶为正性光刻胶。

10.根据权利要求6或7所述的电流扩散电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S13中具体为：湿法刻蚀去除未被光刻胶保护的单晶薄膜层。

11.根据权利要求6或7所述的电流扩散电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S15具体包括：将被光刻胶覆盖的基体顺序放入去胶液、丙酮和异丙酮中浸泡，以达到光刻胶和附着于光刻胶上的透明导电薄膜脱离。

12.根据权利要求6或7所述的电流扩散电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S15之后还包括：将单层复合膜结构放入粗化液中浸泡，使单晶薄膜层和透明导电薄膜层的表面呈凹凸粗糙态。

13.根据权利要求12所述的电流扩散电极的制备方法，其特征在于，所述粗化液包括酸液、氧化剂、缓冲剂和PH调节剂，其中所述酸液：氧化剂：缓冲剂：PH调节剂的体积比为（50-60%）：（20-30%）：（5-10%）：（5-10%）。

14.根据权利要求12所述的电流扩散电极的制备方法，其特征在于，所述单层复合膜结构在35-40度的粗化液中浸泡3-5分钟。

15.根据权利要求12所述的电流扩散电极的制备方法，其特征在于，在将单层复合膜结构放入粗化液中浸泡之前，还包括对单层复合膜进行消除静电的步骤。