[发明专利]发光二极管元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管元件，包含：

基板；

未掺杂半导体层，设于该基板上；

电流阻障结构，设于该未掺杂半导体层上；

多个发光结构，分离地设于该电流阻障结构上，其中每一该些发光结构包含：

第一电性半导体层；

有源层，位于部分的该第一电性半导体层上；

第二电性半导体层，位于该有源层上，其中该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同；以及

第一电极与一第二电极，分别位于该第一电性半导体层的另一部分上与该第二电性半导体层上；

多个绝缘间隙壁，分别位于相邻的该些发光结构之间；以及

多个导线，分别连接依序相邻的该些发光结构中之一者的该第一电极与另一者的该第二电极。

2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该电流阻障结构包含一轻掺杂半导体层，且该轻掺杂半导体层的掺杂浓度的范围从8×10¹⁶cm^-3至8×10¹⁷cm^-3。

3.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该轻掺杂半导体层的厚度范围从0.01μm至3μm。

4.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该第一电性半导体层、该有源层与该第二电性半导体层的材料为氮化物半导体材料，且该电流阻障结构包含一未掺杂氮化铝镓层。

5.如权利要求4所述的发光二极管元件，其中该电流阻障结构还包含一轻掺杂半导体层或另一第一电性半导体层，介于该未掺杂氮化铝镓层与该未掺杂半导体层之间。

6.如权利要求5所述的发光二极管元件，其中该轻掺杂半导体层或该另一第一电性半导体层的厚度范围从0.01μm至3μm。

7.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该电流阻障结构包含一超晶格结构。

8.如权利要求7所述的发光二极管元件，其中该超晶格结构为Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N与Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N交错堆叠结构，且x1＞x2。

9.如权利要求7所述的发光二极管元件，其中该电流阻障结构还包含一轻掺杂半导体层或另一第一电性半导体层，介于该超晶格结构与该未掺杂半导体层之间。

10.如权利要求9所述的发光二极管元件，其中该轻掺杂半导体层或该另一第一电性半导体层的厚度范围从0.01μm至3μm。

11.如权利要求1所述的发光二极管元件，其中该电流阻障结构包含一镁掺杂的半导体层，且该第一电性半导体层为n型，该第二电性半导体层为p型。

12.如权利要求11所述的发光二极管元件，其中该第一电性半导体层、该有源层与该第二电性半导体层的材料为氮化物半导体材料，该镁掺杂的半导体层的材料为镁掺杂的氮化物半导体材料。

13.如权利要求11所述的发光二极管元件，其中该电流阻障结构还包含一轻掺杂半导体层或另一第一电性半导体层，介于该镁掺杂的半导体层与该未掺杂半导体层之间。

14.一种发光二极管元件的制造方法，包含：

提供一基板；

形成一未掺杂半导体层于该基板上；

形成一电流阻障结构于该未掺杂半导体层上；

形成多个发光结构，其中该些发光结构分离地位于该电流阻障结构上，其中每一该些发光结构包含：

第一电性半导体层；

有源层，位于部分的该第一电性半导体层上；

第二电性半导体层，位于该有源层上，其中该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同；以及

第一电极与一第二电极，分别位于该第一电性半导体层的另一部分上与该第二电性半导体层上；

形成多个绝缘间隙壁分别位于相邻的该些发光结构之间；以及

形成多个导线分别连接依序相邻的该些发光结构中之一者的该第一电极与另一者的该第二电极。