[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110144158.2 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102214604A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
利用包括In-Sn-Zn-O基半导体的靶，通过在溅射腔中溅射在衬底上形成第一氧化物半导体层；以及
通过蚀刻去除一部分所述第一氧化物半导体层，以形成包括沟道形成区的第二氧化物半导体层。
2.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
利用包括氧化铟、氧化锡和氧化锌的靶，通过在溅射腔中溅射在衬底上形成第一氧化物半导体层；以及
通过蚀刻去除一部分所述第一氧化物半导体层，以形成包括沟道形成区的第二氧化物半导体层。
3.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
利用包括In-Sn-Zn-O基半导体的靶，通过在溅射腔中DC溅射在衬底上形成第一氧化物半导体层；以及
通过蚀刻去除一部分所述第一氧化物半导体层，以形成包括沟道形成区的第二氧化物半导体层。
4.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
利用包括氧化铟、氧化锡和氧化锌的靶，通过在溅射腔中DC溅射在衬底上形成第一氧化物半导体层；以及
通过蚀刻去除一部分所述第一氧化物半导体层，以形成包括沟道形成区的第二氧化物半导体层。
5.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
利用包括In-Sn-Zn-O基半导体的靶，通过在溅射腔中脉冲DC溅射在衬底上形成第一氧化物半导体层；以及
通过蚀刻去除一部分所述第一氧化物半导体层，以形成包括沟道形成区的第二氧化物半导体层。
6.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
利用包括氧化铟、氧化锡和氧化锌的靶，通过在溅射腔中脉冲DC溅射在衬底上形成第一氧化物半导体层；以及
通过蚀刻去除一部分所述第一氧化物半导体层，以形成包括沟道形成区的第二氧化物半导体层。
7.如权利要求1-6之一所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，还包括在形成所述第一氧化物半导体层之前在所述衬底上形成栅电极的步骤。
8.如权利要求1-6之一所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，在所述第一氧化物半导体层形成期间对所述衬底施加偏压。
9.如权利要求1-6之一所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第一和第二氧化物半导体层中的至少一个为非晶。
10.如权利要求1-6之一所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述靶包括绝缘杂质。
11.如权利要求1-6之一所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，还包括在第二氧化物半导体层上形成包括氧化铝的绝缘层的步骤。
12.如权利要求1-6之一所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述第一氧化物半导体层在氧气气氛中形成。
13.如权利要求1-6之一所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述蚀刻为干蚀刻。
14.如权利要求1-6之一所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述蚀刻为湿蚀刻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110144158.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
