[发明专利]闸介电层的制作方法有效

专利信息
申请号: 201110144271.0 申请日: 2011-05-31
公开(公告)号: CN102760658A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 苏国辉;陈逸男;刘献文 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L21/283 分类号: H01L21/283;H01L21/336
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 中国台湾桃园县龟山*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 闸介电层 制作方法
【权利要求书】:

1.一种闸介电层的制作方法,包括:

进行一氧化处理,以于一基底上形成一氧化物层;

进行一氮化处理,以于该氧化物层上形成一氮化物层;以及

在氮气与氧气的一混合气体中进行一回火处理,其特征在于该回火处理的温度介于900℃至950℃之间,该回火处理的压力介于5Torr至10Torr之间,且该混合气体中氮气含量与氧气含量的比值介于0.5至0.8之间。

2.根据权利要求1所述的闸介电层的制作方法,其特征在于该混合气体中氮气含量与氧气含量的比值为0.625。

3.根据权利要求1所述的闸介电层的制作方法,其特征在于该氧化处理包括进行原位蒸气产生制程。

4.根据权利要求1所述的闸介电层的制作方法,其特征在于该氮化处理包括进行去耦等离子体氮化制程。

5.根据权利要求1所述的闸介电层的制作方法,其特征在于在该回火处理的期间,一氮氧化物层形成于该氮化物层上。

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