[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括，第一导电类型第一半导体层；形成于第一半导体层中的第二导电类型第一阱区，以及形成于第一半导体层中与第一阱区隔开的第二导电类型第二阱区；设置于第一半导体层与阱区之间的第一导电类型第二半导体层；形成于第二导电类型第一阱区中的第一导电类型第一源区，以及形成于第二导电类型第二阱区中的第一导电类型第二源区；设置于第一半导体层之上覆盖了部分源区和部分阱区的第一氧化层；设置于第一氧化层之上的多晶硅层；设置于多晶硅层上覆盖了部分源区和阱区的隔离层；覆盖于隔离层上与源区和阱区连接的第一金属层；形成于第一导电类型第一半导体层背面的第二导电类型第三半导体层，以及与第三半导体层连接的第二金属层；所述的第二半导体层包括第一区域和第二区域，所述第二区域相对于第一区域靠近半导体基片中部；所述阱区的结弯曲处与所述的第一半导体层接触；所述的第二半导体层的掺杂浓度大于第一半导体层的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的阱区禁带宽度大于源区的禁带宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体功率器件，其特征在于，所述的阱区禁带宽度为1eV到4eV，源区的禁带宽度为0.1eV到2eV。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述的源区的电子亲和能大于阱区电子亲和能。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的第二半导体层的浓度小于阱区浓度。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述的第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述的第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤:

选用掺杂有第一导电类型杂质的半导体基片；

在半导体基片上形成第二氧化层；

在第二氧化层上形成掩蔽层；

对掩蔽层进行间隔刻蚀，用于在刻蚀后向第一半导体层中注入第一导电类型离子形成第二半导体层第一区域和相对于第一区域靠近半导体基片中部的第二区域；

对第二半导体层第一区域和第二区域进行扩散，去除掩蔽层和第二氧化层，在半导体基片上形成第一氧化层，在第一氧化层之上形成多晶硅层，保留第二半导体层相邻第二区域和第二区域之间的第一半导体层上的第一氧化层和多晶硅层；

以第一氧化层和多晶硅层为阻挡，形成部分替代第二半导体层的第二导电类型阱区，使得阱区结弯曲处与第一半导体层接触，向阱区中注入第一导电类型离子形成源区，对阱区和源区离子进行扩散；

在多晶硅层之上形成隔离层；

在隔离层之上形成连接阱区和源区的第一金属层；

在半导体基片背面形成第二导电类型第三半导体层，接着在第三半导体层背面形成第二金属层。

9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二半导体层第一区域和第二区域之间的宽度为0.5um到10um。

10.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，阱区离子扩散温度大于等于1000℃，扩散时间大于等于10分钟。

11.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述的第二半导体层掺杂浓度大于第一半导体层掺杂浓度小于阱区的浓度。