[发明专利]化学机械研磨方法无效
申请号: | 201110144388.9 | 申请日: | 2011-05-31 |
公开(公告)号: | CN102737986A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 廖建茂;陈逸男;刘献文 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321;H01L21/30 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 方法 | ||
1.一种化学机械研磨方法,其适用于在一化学机械研磨机中使用一疏水性研磨垫对一基材进行研磨,且该化学机械研磨方法包括:
对该基材进行一第一化学机械研磨过程;
对该疏水性研磨垫进行一第一清洗过程;以及
对该基材进行一第二化学机械研磨过程,其特征在于该第一化学机械研磨过程、该第一清洗过程与该第二化学机械研磨过程为依序进行。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于该第一清洗过程包括毛刷清洗过程或金刚石修整过程。
3.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于进行该第一化学机械研磨过程之后且在进行该第一清洗过程之前,还包括将该基材自该疏水性研磨垫上移开。
4.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于进行该第二化学机械研磨过程之后,还包括将该基材自该化学机械研磨机中移出。
5.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于进行该第二化学机械研磨过程之后,还包括对该疏水性研磨垫进行一第二清洗过程。
6.根据权利要求5所述的化学机械研磨方法,其特征在于该第二清洗过程包括金刚石修整过程。
7.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于该第一化学机械研磨过程、该第一清洗过程及该第二化学机械研磨过程为原位进行。
8.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于该第一化学机械研磨过程的操作时间为小于120秒。
9.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于该第一清洗过程的操作时间为小于60秒。
10.根据权利要求1所述的化学机械研磨方法,其特征在于该第二化学机械研磨过程的操作时间为小于120秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造