[发明专利]光学构件、固态成像装置及其制造方法无效
申请号: | 201110144447.2 | 申请日: | 2008-06-04 |
公开(公告)号: | CN102214670A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 户田淳 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;G02B3/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 构件 固态 成像 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种光学构件,其中在相对光轴的横向上交替地设置有高折射率层和低折射率层;
并且其中所述光学构件是芯片上透镜或内部聚光透镜。
2.根据权利要求1所述的光学构件,其中高折射率层具有大折射率且低折射率层具有小折射率。
3.根据权利要求2所述的光学构件,其中所述高折射率层和所述低折射率层与光学长度相比都相对地薄。
4.根据权利要求3所述的光学构件,其中所述高折射率层和所述低折射率层的每一个宽度都等于或者小于入射光的波长量级。
5.根据权利要求4所述的光学构件,还包括位于每个所述高折射率层的上侧和下侧的抗反射膜。
6.根据权利要求4所述的光学构件,其中所述高折射率层的每一个都对称设置,以在所述构件的机械中心密集设置,而远离所述中心非密集设置。
7.根据权利要求6所述的光学构件,其中所述高折射率层设置为使得所述高折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐增加;
并且其中所述低折射率层设置为使得所述低折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐减小。
8.根据权利要求6所述的光学构件,其中所述高折射率层设置为使得所述高折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐增加;
并且其中所述低折射率层设置为具有相等的宽度。
9.根据权利要求6所述的光学构件,其中所述低折射率层设置为使得所述低折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐减小;
并且其中所述高折射率层设置为具有相等的宽度。
10.根据权利要求1所述的光学构件,其中所述高折射率层每一个都对称设置,以在所述构件的机械中心非密集设置,而远离所述中心密集设置。
11.根据权利要求10所述的光学构件,其中所述高折射率层设置为使得所述高折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐减小;
并且其中所述低折射率层设置为使得所述低折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐增加。
12.根据权利要求10所述的光学构件,其中所述高折射率层设置为使得所述高折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐减小;
并且其中所述低折射率层设置为具有相等的宽度。
13.根据权利要求10所述的光学构件,其中所述低折射率层设置为使得所述低折射率层的每一个宽度朝着所述构件的机械中心逐渐增加;
并且其中所述高折射率层设置为具有相等的宽度。
14.根据权利要求1所述的光学构件,其中所述高折射率层和所述低折射率层中至少一种层的每一个宽度在所述横向上非对称设置。
15.根据权利要求14所述的光学构件,其中所述高折射率层设置为使得所述高折射率层的每一个宽度从所述构件的一端朝着光学重心位置逐渐增加;
并且其中所述低折射率层设置为使得所述低折射率层的每一个宽度从所述构件的一端朝着所述光学重心位置逐渐减小。
16.根据权利要求14所述的光学构件,其中所述高折射率层设置为使得所述高折射率层的每一个宽度从所述构件的一端朝着光学重心位置逐渐增加;
并且其中所述低折射率层设置为具有相等的宽度。
17.根据权利要求14所述的光学构件,其中所述低折射率层设置为使得所述低折射率层的每一个宽度从所述构件的一端朝着光学重心位置逐渐减小;
并且其中所述高折射率层设置为具有相等的宽度。
18.根据权利要求15至17任意一项所述的光学构件,其中所述光学重心位置位于所述构件的另一端。
19.根据权利要求18所述的光学构件,包括:
第一光学构件,其中所述高折射率层每一个都对称设置,以在所述光学构件的机械中心密集设置,而远离所述中心非密集设置;以及
第二光学构件,其中所述光学重心位置至少在所述第一光学构件的光入射侧和光发射侧之一上存在于所述光学构件的另一端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的