[发明专利]IMP表面处理系统无效
| 申请号： | 201110144532.9 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102808159A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 朱剑 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | imp 表面 处理 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种IMP表面处理系统，包括：
靶极；
反应室，内有气体；
磁式电源模块，将靶极上的金属原子激发发送到反应室；
无限射频模块，离子化上述金属原子，所述无限射频模块包括：
射频电源，射频匹配器，射频线圈，射频电源通过射频匹配器将能量施加到射频线圈上，其特征在于：
所述射频匹配器内设有0.01微法的电容。
2.根据权利要求1所述的IMP表面处理系统，其特征在于：
所述靶极为钛。
3.根据权利要求2所述的IMP表面处理系统，其特征在于：
所述反应室内的气体为氮气。
4.根据权利要求1所述的IMP表面处理系统，其特征在于：所述IMP表面处理系统寿命大于300Kwh。
5.根据权利要求1所述的IMP表面处理系统，其特征在于：所述IMP表面处理系统包括安放半导体晶圆的晶圆台座。
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