[发明专利]铟离子产生装置和方法无效
| 申请号： | 201110144533.3 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102808162A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C22B58/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 产生 装置 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铟离子产生装置，包括：
坩埚，用于盛放固态含铟化合物；
热源，用于加热所述坩埚，气化所述固态含铟化合物得到含铟化合物蒸气；
电弧室，用于使含铟化合物蒸气电离产生等离子体；
其特征在于，还包括向所述电弧室通入稀释气体的充气装置。
2.一种的铟离子产生方法，使用权利要求1所述的铟离子产生装置，其特征在于包括以下步骤：
第一步，向坩埚中盛放固态含铟化合物；
第二步，通过热源加热所述坩埚；
第三步，所述含铟化合物达到第一预设温度时，使用充气装置向电弧室内充入稀释气体；
第四步，通过热源加热所述坩埚，使所述含铟化合物达到第二预设温度。
3.根据权利要求2所述的铟离子产生方法，其特征在于，所述含铟化合物为InCl3 InCl3·H2O InCl3·4H2O。
4.根据权利要求2所述的铟离子产生方法，其特征在于，所述稀释气体为氩气。
5.根据权利要求3所述的铟离子产生方法，其特征在于，所述第一预设温度为250摄氏度。
6.根据权利要求3所述的铟离子产生方法，其特征在于，所述第二预设温度为300摄氏度。
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