[发明专利]白光发光装置无效

专利信息
申请号: 201110144993.6 申请日: 2011-05-31
公开(公告)号: CN102810533A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 洪雅钰;陈怡君;张永宜 申请(专利权)人: 亿广科技(上海)有限公司;亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 骆希聪
地址: 201203 上海市张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 白光 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种白光发光装置,包括第一发光芯片,发红光的第二发光芯片,以及配置于第一发光芯片以及第二发光芯片之上的第一波长转换材料,所述第一波长转换材料可吸收第一发光芯片所发出的光并发出黄光,其特征在于:所述白光发光装置中第二发光芯片的总面积与第一发光芯片的总面积的比小于0.5,且该白光发光装置于摄氏85度下仍符合麦克亚当7-步骤的要求。

2.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于:所述第二发光芯片的总面积与第一发光芯片的总面积的比小于0.3且大于0.1。

3.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于:所述发光装置发出实质近似色度图上3000K色温范围的白光。

4.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于:所述第一发光芯片的材料为氮化铟镓类或氮化镓类化合物,其发光波长范围介于380nm至470nm。

5.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于:所述波长转换材料为石榴石结构的荧光粉。

6.如权利要求1所述的白光发光装置,其特征在于:所述白光发光装置还包括第二波长转换材料,配置于第一发光芯片以及第二发光芯片之上,可吸收第一发光芯片发出的光并发出红光。

7.如权利要求6所述的白光发光装置,其特征在于:所述第二波长转换材料为氮化物或氮氧化物的荧光粉。

8.如权利要求1到7任一项所述的白光发光装置,其特征在于:所述第二发光芯片的最大发射波长大于640nm。

9.一种白光发光装置,包括发蓝光的第一发光芯片,发红光的第二发光芯片,以及配置于第一发光芯片以及第二发光芯片之上的第一波长转换材料,所述第一波长转换材料可吸收第一发光芯片所发出的光并发出黄光,其特征在于:所述发红光的第二发光芯片,其最大发射波长大于640nm,使该白光发光装置于摄氏85度下仍能符合麦克亚当7-步骤的要求。

10.如权利要求9所述的白光发光装置,其特征在于:所述第二发光芯片的总面积与第一发光芯片的总面积的比小于0.5,优选的是小于0.3且大于0.1。

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