[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，包括：

提供半导体衬底，形成位于所述半导体衬底表面的栅极结构，以所述栅极结构为掩膜在所述半导体衬底内形成第一开口；

其特征在于，还包括：

形成覆盖所述栅极结构两侧和第一开口的侧壁的第一牺牲侧墙、以及覆盖所述第一牺牲侧墙的第二牺牲侧墙；

以所述第一牺牲侧墙、第二牺牲侧墙为掩膜氧化所述第一开口底部的半导体衬底形成保护层；

去除所述第一牺牲侧墙和第二牺牲侧墙；

刻蚀所述第一开口的侧壁的半导体衬底形成第二开口；

去除所述保护层。

2.一种如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：位于所述半导体衬底表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅电极层及位于所述栅介质层和栅电极层两侧的半导体衬底表面的侧墙。

3.一种如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅电极层的材料为多晶硅或金属材料。

4.一种如权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲侧墙的材料与侧墙的材料不同，且所述第二牺牲侧墙的材料与第一牺牲侧墙、保护层的材料不同。

5.一种如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲侧墙的材料为多晶硅，第二牺牲侧墙的材料为氮化硅或所述第一牺牲侧墙的材料为氧化硅，第二牺牲侧墙的材料为氮化硅。

6.一种如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅，所述保护层的厚度为50～200

7.一种如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的形成工艺为等离子体氧化工艺或热氧化工艺，所述热氧化工艺的形成步骤为：在温度大于855K的条件下，通入氧气对所述半导体衬底的硅表面进行氧化。

8.一种如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述保护层的方法为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀采用的化学试剂为氢氟酸。

9.一种如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述第一牺牲侧墙和第二牺牲侧墙的方法为湿法刻蚀或等离子体轰击去除工艺。

10.一种如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一开口的深度为500～700所述第一开口的形成工艺为干法刻蚀。

11.一种如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二开口的形状为“∑”，所述第二开口的形成工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀采用的化学试剂为四甲基氢氧化氨。