[发明专利]掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池及制备方法

权利要求书

1.一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池，其特征在于：它包括：正面Ag电极（1）、SiNx或SiOx减反射钝化膜（2）、磷扩散层（3）、P型硅基体（4）、p型掺杂SiCx钝化膜（5）、背面Al电极（6）；所述P型硅基体（4）的前表面上有磷扩散层（3），磷扩散层（3）上覆有SiNx或SiOx减反射钝化膜（2），减反射钝化膜（2）上有正面Ag电极（1），正面Ag电极（1）底面与磷扩散层（3）接触；P型硅基体（4）的背面覆有p型掺杂SiCx钝化膜（5），p型掺杂SiCx钝化膜（5）开槽并制作背面Al电极（6），背面Al电极（6）在背面开槽处与P型硅基体（4）接触。

2.根据权利要求1所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法，其特征在于：该方法的具体步骤如下：

（1）硅片去损伤并制绒；

（2）磷扩散；

（3）去背结；

（4）正面采用PECVD生长70~90nm的SiNx或SiOx减反射钝化膜；

（5）背面沉积p型掺杂SiCx钝化膜；

（6）在p型掺杂SiCx钝化膜上开槽；

（7）制备正面Ag电极；

（8）制备背面Al及Ag电极；

（9）烧结或退火。

3.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（5）背面沉积p型掺杂SiCx钝化膜方法为：采用PECVD生长的B掺杂的SiCx膜钝化，掺杂浓度为1ppba至10⁴ppma，厚度为50~150nm，也可选SiCx与SiNx或者SiOx的叠层。

4.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（7）制备正面Ag电极；方式可以为：激光掺杂加上电镀、或喷墨打印加上电镀、或丝网印刷。

5.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法，其特征在于：采用丝网印刷制备背面Al及Ag电极时，所述步骤（8）制备背面Al电极的具体步骤是：

（a1）背面印刷Al浆并烘干；

（a2）背面印刷背Ag电极；

（a3）热处理，温度为350~900℃，时间为5s~100s。

6.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法，其特征在于：采用沉积Al电极方式制备背面Al电极时，所述步骤（8）制备背面Al电极的具体步骤是：

（b1）背面通过溅射或者热蒸发、电子束蒸发等工艺形成Al电极，厚度为1~3μm；

（b2）热处理，温度为350~900℃，时间为5s~100s。

7.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法，其特征在于：采用激光烧结LFC方式制备背面Al电极时，去除步骤（6）并且所述步骤（8）制备背面Al电极的具体步骤是：

（c1）背面沉积Al电极或印刷Al浆并烘干；

（c2）激光烧结实现背面电极局部接触。

8.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤（6）采用腐蚀性浆料或者激光工艺在p型掺杂SiCx钝化膜上开槽。