[发明专利]掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池及制备方法无效
申请号: | 201110145915.8 | 申请日: | 2011-06-01 |
公开(公告)号: | CN102194897A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 李晓强;邢国强;陶龙忠;姜庆堂;夏正月;杨灼坚;高艳涛;董经兵;宋文涛 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 碳化硅 薄膜 诱导 双面 钝化 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池,其特征在于:它包括:正面Ag电极(1)、SiNx或SiOx减反射钝化膜(2)、磷扩散层(3)、P型硅基体(4)、p型掺杂SiCx钝化膜(5)、背面Al电极(6);所述P型硅基体(4)的前表面上有磷扩散层(3),磷扩散层(3)上覆有SiNx或SiOx减反射钝化膜(2),减反射钝化膜(2)上有正面Ag电极(1),正面Ag电极(1)底面与磷扩散层(3)接触;P型硅基体(4)的背面覆有p型掺杂SiCx钝化膜(5),p型掺杂SiCx钝化膜(5)开槽并制作背面Al电极(6),背面Al电极(6)在背面开槽处与P型硅基体(4)接触。
2.根据权利要求1所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法,其特征在于:该方法的具体步骤如下:
(1)硅片去损伤并制绒;
(2)磷扩散;
(3)去背结;
(4)正面采用PECVD生长70~90nm的SiNx或SiOx减反射钝化膜;
(5)背面沉积p型掺杂SiCx钝化膜;
(6)在p型掺杂SiCx钝化膜上开槽;
(7)制备正面Ag电极;
(8)制备背面Al及Ag电极;
(9)烧结或退火。
3.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(5)背面沉积p型掺杂SiCx钝化膜方法为:采用PECVD生长的B掺杂的SiCx膜钝化,掺杂浓度为1ppba至104ppma,厚度为50~150nm,也可选SiCx与SiNx或者SiOx的叠层。
4.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(7)制备正面Ag电极;方式可以为:激光掺杂加上电镀、或喷墨打印加上电镀、或丝网印刷。
5.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法,其特征在于:采用丝网印刷制备背面Al及Ag电极时,所述步骤(8)制备背面Al电极的具体步骤是:
(a1)背面印刷Al浆并烘干;
(a2)背面印刷背Ag电极;
(a3)热处理,温度为350~900℃,时间为5s~100s。
6.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法,其特征在于:采用沉积Al电极方式制备背面Al电极时,所述步骤(8)制备背面Al电极的具体步骤是:
(b1)背面通过溅射或者热蒸发、电子束蒸发等工艺形成Al电极,厚度为1~3μm;
(b2)热处理,温度为350~900℃,时间为5s~100s。
7.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法,其特征在于:采用激光烧结LFC方式制备背面Al电极时,去除步骤(6)并且所述步骤(8)制备背面Al电极的具体步骤是:
(c1)背面沉积Al电极或印刷Al浆并烘干;
(c2)激光烧结实现背面电极局部接触。
8.根据权利要求2所述的一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(6)采用腐蚀性浆料或者激光工艺在p型掺杂SiCx钝化膜上开槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的