[发明专利]一种冶金法多晶硅渣洗除硼工艺有效
申请号: | 201110146266.3 | 申请日: | 2011-06-01 |
公开(公告)号: | CN102259865A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 刘应宽;盛之林;刘永贵;范占军;纳永清;周金刚 | 申请(专利权)人: | 宁夏银星多晶硅有限责任公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 合天律师事务所 64103 | 代理人: | 郭立宁 |
地址: | 751100 宁夏*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冶金 多晶 硅渣洗 工艺 | ||
1.一种冶金法多晶硅渣洗除硼工艺,选择硼含量小于25ppmw为原料的工业硅,其特征在于将复合渣剂按照重量百分比为Na2SiO355%-70%,SiO225%-30%,CaO5%-10%混合均匀,装入感应熔炼炉中预先加热并熔化复合渣剂;当复合渣剂熔化后,加入工业硅,复合渣剂与原料工业硅的质量比为1∶1~2.5;逐步提高感应熔炼炉的中频感应电源功率,使硅料熔化,利用硅液下沉和渣剂上浮的相对运动以及感应炉的电磁搅拌作用进行渣洗,硅液温度保持在1700~1800℃;当渣液全部上浮到硅液的表面,将硅液和渣液采用虹吸原理进行分离,将硅液倒入另一存有预熔复合渣剂形成的渣剂熔池的感应炉中,进行二次渣洗;当二次渣洗完成后,静置5-10分钟,再将硅液与渣液分离,硅液倒入具有定向功能的模具中,冷却后取出硅锭,可得到硼的含量低于0.3ppmw,最低可达到0.15ppmw的太阳能级高纯度多晶硅。
2.根据权利要求1所述的一种冶金法多晶硅渣洗除硼工艺,其特征在于工业硅的纯度大于98%。
3.根据权利要求1所述的一种冶金法多晶硅渣洗除硼工艺,其特征在于,中频感应电源功率控制范围在50-220Kw之间。
4.根据权利要求1所述的一种冶金法多晶硅渣洗除硼工艺,其特征在于,复合渣剂熔化和预熔复合渣剂的时间为20-60分钟。
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