[发明专利]一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺无效
申请号: | 201110146267.8 | 申请日: | 2011-06-01 |
公开(公告)号: | CN102295289A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 刘应宽;盛之林;李文革;李峰;宋冬梅;刘永贵 | 申请(专利权)人: | 宁夏银星多晶硅有限责任公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 合天律师事务所 64103 | 代理人: | 郭立宁 |
地址: | 751100 宁夏*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 冶金 多晶 金属 杂质 湿法 提纯 工艺 | ||
1.一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺,其特征在于:将颗粒度为100~200目的硅粉,进行磁选机磁选备用,并分以下步骤进行提纯:
a.预清洗:将上述硅粉用去离子水清洗4遍,在第二遍时适量加入一次表面活性剂;
b.稀盐酸酸洗:用浓度为8%的稀盐酸进行酸洗,固液比为1∶3,浸泡12-16小时,在浸泡中每隔1小时搅拌15min,后用去离子水漂洗3遍,离心甩干后使用800目滤布过滤;
c.稀氢氟酸酸洗:用浓度为8%的稀氢氟酸进行酸洗,固液比为1∶3,浸泡12-16小时,在浸泡中每隔1小时搅拌15min,后用去离子水漂洗3遍,甩干;
d.王水酸洗:用浓度为盐酸36~38%、硝酸65~68%配制的王水进行酸洗,固液比为1∶3,浸泡12-16小时,在浸泡中每隔1小时搅拌15min,后用去离子水漂洗3遍,离心甩干;
e.稀氢氟酸和过氧化氢酸洗:用浓度25%的氢氟酸和2%过氧化氢进行酸洗,固液比为1∶3,浸泡12-16小时,在浸泡中每隔1小时搅拌15min,后用去离子水漂洗多遍,直至水的PH值为中性,离心甩干、烘干、包装。
2.根据权利要求1所述的一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺,其特征在于各步骤的酸洗温度为20-25℃。
3.根据权利要求1所述的一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺,其特征在于,一次表面活性剂可以是十二烷基苯磺酸钠、丁基萘磺酸钠(拉开粉)、十七碳烷基羧酸钠中的任何一种。
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