[发明专利]一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺

权利要求书

1.一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺，其特征在于：将颗粒度为100～200目的硅粉，进行磁选机磁选备用，并分以下步骤进行提纯：

a.预清洗：将上述硅粉用去离子水清洗4遍，在第二遍时适量加入一次表面活性剂；

b.稀盐酸酸洗：用浓度为8％的稀盐酸进行酸洗，固液比为1∶3，浸泡12-16小时，在浸泡中每隔1小时搅拌15min，后用去离子水漂洗3遍，离心甩干后使用800目滤布过滤；

c.稀氢氟酸酸洗：用浓度为8％的稀氢氟酸进行酸洗，固液比为1∶3，浸泡12-16小时，在浸泡中每隔1小时搅拌15min，后用去离子水漂洗3遍，甩干；

d.王水酸洗：用浓度为盐酸36～38％、硝酸65～68％配制的王水进行酸洗，固液比为1∶3，浸泡12-16小时，在浸泡中每隔1小时搅拌15min，后用去离子水漂洗3遍，离心甩干；

e.稀氢氟酸和过氧化氢酸洗：用浓度25％的氢氟酸和2％过氧化氢进行酸洗，固液比为1∶3，浸泡12-16小时，在浸泡中每隔1小时搅拌15min，后用去离子水漂洗多遍，直至水的PH值为中性，离心甩干、烘干、包装。

2.根据权利要求1所述的一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺，其特征在于各步骤的酸洗温度为20-25℃。

3.根据权利要求1所述的一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺，其特征在于，一次表面活性剂可以是十二烷基苯磺酸钠、丁基萘磺酸钠(拉开粉)、十七碳烷基羧酸钠中的任何一种。