[发明专利]高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法和系统

权利要求书

1.一种高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法，其特征在于，该方法包括：

在硅片表面的热氧化层上形成淀积氧化层，硅片表面的热氧化层是对硅片完成P型阱工艺后形成的氧化层；

对形成有淀积氧化层的硅片进行源漏区光刻处理；

对源漏区光刻处理后的硅片进行蚀刻处理，蚀刻处理后硅片的漂移区表面留有热氧化层；

向蚀刻处理后的硅片的漂移区进行离子注入；并向硅片的源漏区进行离子注入。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅片表面的热氧化层上形成淀积氧化层包括：

将完成P型阱工艺的硅片放入低压化学汽相淀积设备；

向低压化学汽相淀积设备通入正硅酸乙酯，使正硅酸乙酯分解生成的二氧化硅淀积在硅片表面的热氧化层上。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，淀积氧化层的厚度按照如下方法确定：

通过查询离子射程表，得到注入漂移区离子时的注入能量及注入剂量对应的射程，并按照该射程确定淀积氧化层的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在硅片表面的热氧化层上形成淀积氧化层之前，该方法进一步包括：

使用缓冲氧化硅蚀刻液BOE蚀刻硅片表面的热氧化层，使热氧化层的厚度达到设定厚度。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述设定厚度为：

(漂移区包含源漏区的尺寸/淀积氧化层在BOE中的蚀刻速率)*热氧化层在BOE中的蚀刻速率-蚀刻余量；

其中，所述蚀刻余量为不小于0并小于N的数值，N＝(漂移区包含源漏区的尺寸/淀积氧化层在BOE中的蚀刻速率)*热氧化层在BOE中的蚀刻速率。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对源漏区光刻处理后的硅片进行蚀刻处理包括：

使用BOE对源漏区光刻处理后的硅片进行设定时间长度的蚀刻。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述设定时间长度为：

(淀积氧化层的厚度/淀积氧化层在BOE中的蚀刻速率)+(漂移区包含源漏区的尺寸/淀积氧化层在BOE中的蚀刻速率)+过蚀刻量，所述过蚀刻量为不小于0的数值。

8.如权利要求5或7所述的方法，其特征在于，漂移区包含源漏区的尺寸为2μm，淀积氧化层在BOE中的蚀刻速率为每分钟5000埃，热氧化层在BOE中的蚀刻速率为每分钟880埃。

9.如权利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于，若所述高压金属栅互补金属氧化物半导体为PMOS管，则向漂移区注入的离子为B离子，向源漏区注入的离子为BF₂离子；

若所述高压金属栅互补金属氧化物半导体为NMOS管，则向漂移区注入的离子为P离子，向源漏区注入的离子为A_S离子。

10.如权利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于，在向硅片的源漏区进行离子注入后，该方法进一步包括：

对硅片进行热制程驱入、注入离子激活处理。

11.一种高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作系统，其特征在于，该系统包括：

氧化层淀积装置，用于在硅片表面的热氧化层上形成淀积氧化层，硅片表面的热氧化层是对硅片完成P型阱工艺后形成的氧化层；

光刻装置，用于对形成有淀积氧化层的硅片进行源漏区光刻处理；

蚀刻装置，用于对源漏区光刻处理后的硅片进行蚀刻处理，蚀刻处理后硅片的漂移区表面留有热氧化层；

漂移区离子注入装置，用于向蚀刻处理后的硅片的漂移区进行离子注入；

源漏区离子注入装置，用于向硅片的源漏区进行离子注入。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于，所述氧化层淀积装置用于：

将完成P型阱工艺的硅片放入低压化学汽相淀积设备；

向低压化学汽相淀积设备通入正硅酸乙酯，使正硅酸乙酯分解生成的二氧化硅淀积在硅片表面的热氧化层上。

13.如权利要求11所述的系统，其特征在于，淀积氧化层的厚度按照如下方法确定：

通过查询离子射程表，得到注入漂移区离子时的注入能量及注入剂量对应的射程，并按照该射程确定淀积氧化层的厚度。